Passivation Extérieure des Piles Solaires de Silicium Cristallines utilisant le Système Atomique de Dépôt de Couche de TFS (ALD) NX300 par Beneq

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Synthèse
Passivation Extérieure des Piles Solaires de Silicium Cristallines utilisant le Dépôt Atomique de Couche
Avantages de la Passivation Extérieure des Piles Solaires de Silicium Cristallines utilisant le Dépôt Atomique de Couche
Système Atomique de Dépôt de Couche de TFS NX300

Synthèse

Beneq Oy, basé en Finlande, est un fournisseur de technologie de matériel et de couche pour les marchés globaux. Beneq transforme des innovations en réussite en développant les demandes et le matériel de zones de cleantech et d'énergie renouvelable, particulièrement sur les marchés en verre, solaires et de apparaître de film mince. Les applications de Couche comprennent des blocs optiques, des barrages et des couches de passivation, ainsi que rétablissement et économie d'énergie. Beneq offre également des services complets de couche. Les applications de la couche de Beneq sont basées sur deux plates-formes de activation de nanotechnologie : Dépôt Atomique de Couche (ALD) et couche d'aérosol (nHALO® et nAERO®).

Passivation Extérieure des Piles Solaires de Silicium Cristallines utilisant le Dépôt Atomique de Couche

L'industrie de PICOVOLTE doit aujourd'hui augmenter l'efficience de conversion sans compromettre la faisabilité économique et technique de la production industrielle. Le moyen prouvé d'améliorer l'efficience des disques cristallins de pile solaire du silicium (c-SI) est la passivation extérieure par dépôt atomique de couche (ALD). La Passivation de la surface augmente l'efficience générale de cellules en prolongeant la vie pertinente de porteur de charge. La passivation Extérieure par ALD est avantageuse sur la surface avant et arrière d'un disque de type n.

Passivation extérieure industrielle de Beneq ALD des piles c-SI solaires

Beneq ALD fournit une solution efficace pour la passivation extérieure. Le Système de Film Mince de TFS NX300, développé seulement pour l'industrie de PICOVOLTE, est conçu particulièrement pour la production industrielle de la couche de la passivation extérieure (23AlO) sur des disques de la pile c-SI solaire. Les types de surfaces de la pile c-SI solaire qui tirent bénéfice de la passivation extérieure23 ALD-basée d'AlO comprennent l'émetteur de base (surface arrière) et bore-dopé de type n de p et de p+ (surface avant).

Avantages de la Passivation Extérieure des Piles Solaires de Silicium Cristallines utilisant le Dépôt Atomique de Couche

Les principaux bénéfices de la passivation extérieure des piles solaires de silicium cristallines utilisant le dépôt atomique de couche comprennent

  • 1-2 augmentation de point d'efficience
  • Passivation Extérieure basée sur une charge fixe négative élevée
  • Aucune absorption en spectre visible ne résulte en augmentation par réflexion de la lumière d'IR de l'électrode arrière (pour 100 nanomètre les AlO23)
  • Traitement de Basse température (°C) 150 - 250
  • Uniformité Sans Précédent de couche
  • Débit Élevé avec Beneq TFS NX300, jusqu'à 3000 wafers/h

Pour Que les abonnées gagnent l'accès instantané aux avantages de la passivation extérieure d'ALD23 et d'AlO, avant la production industrielle, Beneq offre des services de couche de contrat.

Système Atomique de Dépôt de Couche de TFS NX300

Le Système de Film Mince de TFS NX300 est un procédé de protection intégré complètement automatique conçu pour la fabrication à échelle industrielle des couches de passivation extérieure sur les disques cristallins de pile solaire de silicium. Le système présente les propriétés principales suivantes.

  • Matériel de production plein-automatisé par Industriel
  • Système Automatique de magasin-à-magasin
  • Débit 3000 wafers/h
  • Installation Détaillée sujet aux spécifications du client

Plus d'informations sur le TFS NX300 sont disponibles à la page de matériel de TFS NX300.

Source : Beneq

Pour plus d'informations sur cette source visitez s'il vous plaît Beneq

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:06

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