Passivation De Superfície das Células Solares Cristalinas do Silicone que usam o Sistema Atômico do Depósito da Camada de TFS (ALD) NX300 por Beneq

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Vista Geral
Passivation De Superfície das Células Solares Cristalinas do Silicone que usam o Depósito Atômico da Camada
Benefícios do Passivation De Superfície das Células Solares Cristalinas do Silicone que usam o Depósito Atômico da Camada
Sistema Atômico do Depósito da Camada de TFS NX300

Vista Geral

Beneq Oy, baseado em Finlandia, é um fornecedor da tecnologia do equipamento e do revestimento para mercados globais. Beneq transforma inovações no sucesso desenvolvendo pedidos e equipamento para campos do cleantech e da energia renovável, especialmente nos mercados do vidro, os solares e emergir do filme fino. As aplicações do Revestimento incluem sistemas óticos, barreiras e camadas do passivation, assim como geração e conservação da energia. Beneq igualmente oferece serviços completos do revestimento. As aplicações do revestimento de Beneq são baseadas em duas plataformas de possibilidade da nanotecnologia: Depósito Atômico da Camada (ALD) e revestimento do aerossol (nHALO® e nAERO®).

Passivation De Superfície das Células Solares Cristalinas do Silicone que usam o Depósito Atômico da Camada

A indústria do PICOVOLT precisa hoje de aumentar a eficiência de conversão sem comprometer a possibilidade econômica e técnica da produção industrial. Os meios provados melhorar a eficiência de bolachas cristalinas da célula solar do silicone (c-Si) são passivation de superfície pelo depósito atômico da camada (ALD). O Passivation da superfície aumenta a eficiência total da pilha prolongando a vida eficaz do portador de carga. O passivation De Superfície por ALD é benéfico em ambos dianteiro e traseiro o de superfície de um n-tipo bolacha.

Passivation de superfície industrial de Beneq ALD de células solares do c-Si

Beneq ALD fornece uma solução eficiente para o passivation de superfície. O Sistema do Filme Fino de TFS NX300, desenvolvido unicamente para a indústria do PICOVOLT, é projectado especialmente para a produção industrial de revestimento do passivation de superfície (23AlO) em bolachas da célula solar do c-Si. Os tipos de superfícies da célula solar do c-Si que tiram proveito do passivation de superfície23 ALD-baseado do AlO incluem o emissor baixo (superfície traseira) e boro-lubrificado do p e do n-tipo do p+ (superfície dianteira).

Benefícios do Passivation De Superfície das Células Solares Cristalinas do Silicone que usam o Depósito Atômico da Camada

Os benefícios principais do passivation de superfície das células solares cristalinas do silicone que usam o depósito atômico da camada incluem

  • 1-2 aumento do ponto percentual na eficiência
  • Passivation De Superfície baseado em uma carga fixa negativa alta
  • Nenhuma absorção no espectro visível conduz a um aumento na reflexão da luz do IR do eléctrodo traseiro (para 100 nanômetro os AlO23)
  • Processamento De Baixa Temperatura (°C) 150 - 250
  • Uniformidade Inaudita do revestimento
  • Produção Alta com Beneq TFS NX300, até 3000 wafers/h

Para Que os clientes ganhem o acesso imediato aos benefícios do passivation de superfície de ALD23 e de AlO, antes da produção industrial, Beneq oferece serviços do revestimento do contrato.

Sistema Atômico do Depósito da Camada de TFS NX300

O Sistema do Filme Fino de TFS NX300 é uma em-linha totalmente automático sistema de revestimento projetado para a fabricação da industrial-escala de revestimentos do passivation de superfície em bolachas cristalinas da célula solar do silicone. O sistema exibe as seguintes propriedades principais.

  • Equipamento de produção inteiramente automático Industrial
  • Sistema Automático da gaveta-à-gaveta
  • Produção 3000 wafers/h
  • Assunto Detalhado da instalação às especificações do cliente

Mais informação sobre o TFS NX300 está disponível na página do equipamento de TFS NX300.

Source: Beneq

Para obter mais informações sobre desta fonte visite por favor Beneq

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:37

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