Поверхностная Запассивированность Кристаллических Фотоэлементов Кремния используя Систему Низложения Слоя TFS NX300 (ALD) Атомную Beneq

Покрытые Темы

Обзор
Поверхностная Запассивированность Кристаллических Фотоэлементов Кремния используя Атомное Низложение Слоя
Преимущества Поверхностной Запассивированности Кристаллических Фотоэлементов Кремния используя Атомное Низложение Слоя
Система Низложения Слоя TFS NX300 Атомная

Обзор

Beneq Oy, основанное в Финляндии, поставщик технологии оборудования и покрытия для мировых рынков. Beneq поворачивает рационализаторства в успех путем развивать применения и оборудование для полей cleantech и возобновляющей энергии, специально в рынках стекла, солнечных и вытекать тонкого фильма. Применения Покрытия включают оптику, барьеры и слои запассивированности, так же, как поколение и консервацию энергии. Beneq также предлагает полные обслуживания покрытия. Применения покрытия Beneq основаны на 2 позволяя платформах нанотехнологии: Атомное Низложение Слоя (ALD) и покрытие аэрозоля (nHALO® и nAERO®).

Поверхностная Запассивированность Кристаллических Фотоэлементов Кремния используя Атомное Низложение Слоя

Индустрии PV сегодня нужно увеличить эффективность преобразования без подвергать опасности хозяйственное и техническая годность промышленного производства. Доказанные середины улучшить эффективность кристаллических вафель фотоэлемента кремния (c-Si) поверхностная запассивированность атомным низложением слоя (ALD). Запассивированность поверхности увеличивает общую эффективность клетки путем увеличивать продолжительность жизни носителя заряда эффективную. Поверхностная запассивированность ALD полезна и на передней и задней поверхности n-типа вафли.

Запассивированность Beneq ALD промышленная поверхностная фотоэлементов c-Si

Beneq ALD обеспечивает эффективное разрешение для поверхностной запассивированности. Система Тонкого Фильма TFS NX300, начатая единственно для индустрии PV, конструирована специально для промышленного производства покрытия поверхностной запассивированности (23AlO) на вафлях фотоэлемента c-Si. Типы поверхностей фотоэлемента c-Si которые извлекали пользу ALD-основанная запассивированность23 AlO поверхностная включают излучатель p- и n-типа низкопробный (задняя поверхность) и бор-данный допинг p+ (лицевую поверхность).

Преимущества Поверхностной Запассивированности Кристаллических Фотоэлементов Кремния используя Атомное Низложение Слоя

Главным образом преимущества поверхностной запассивированности кристаллических фотоэлементов кремния используя атомное низложение слоя включают

  • 1-2 увеличение процента в эффективности
  • Поверхностная запассивированность основанная на высоком отрицательном неподвижном заряде
  • Никакая абсорбциа в видимом спектре не приводит к в увеличении в отражении света ИК от заднего электрода (для 100 nm AlO23)
  • Низкотемпературный обрабатывать (°C 150 до 250)
  • Беспрецедентное единообразие покрытия
  • Высокое объём с Beneq TFS NX300, до 3000 wafers/h

Для клиентов для того чтобы приобрести немедленный доступ к преимуществам запассивированности ALD и23 AlO поверхностной, до промышленного производства, Beneq предлагает обслуживания покрытия подряда.

Система Низложения Слоя TFS NX300 Атомная

Система Тонкого Фильма TFS NX300 польностью автоматическая встроенная система покрытия конструированная для изготавливания промышленного масштаба покрытий поверхностной запассивированности на кристаллических вафлях фотоэлемента кремния. Система показывает следующие главным образом свойства.

  • Промышленное полн-автоматизированное производственное оборудование
  • Автоматическая система кассет-к-кассеты
  • Объём 3000 wafers/h
  • Детальный вопрос настроения к спецификациям клиента

Больше информации о TFS NX300 доступны на странице оборудования TFS NX300.

Источник: Beneq

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите Beneq

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:41

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit