Deposición de las Capas del Almacenador Intermediaro en las Células Solares de los CIGS usando Sistema Atómico de la Deposición de la Capa de TFS (ALD) 1200 por Beneq

Temas Revestidos

Reseña
Deposición Atómica de la Capa Que Mejora la Eficiencia de las Células Solares de los CIGS
Tecnología de Beneq ALD Que Reemplaza Capa Convencional del Almacenador Intermediaro del Sulfuro de Cadmio
Deposición Atómica de la Capa y Capas Cadmio-Libres del Almacenador Intermediaro
Sistema de la Película Fina de TFS 1200 para la Deposición Atómica de la Capa

Reseña

Beneq Oy, basado en Finlandia, es un surtidor de la tecnología del equipo y de la capa para los mercados globales. Beneq gira innovaciones en éxito desarrollando aplicaciones y el equipo para los campos del cleantech y de la energía renovable, especialmente en los mercados del cristal, solares y el emerger de la película fina. Las aplicaciones de la Capa incluyen las ópticas, las barreras y las capas de la pasivación, así como generación y protección de la energía. Beneq también ofrece servicios completos de la capa. Las aplicaciones de la capa de Beneq se basan en dos plataformas de activação de la nanotecnología: Deposición Atómica de la Capa (ALD) y capa del aerosol (nHALO® y nAERO®).

Deposición Atómica de la Capa Que Mejora la Eficiencia de las Células Solares de los CIGS

Una de las células más prometedoras es hoy cobre-indio-galio-diselenide (CIGS). La deposición Atómica de la capa (ALD) se puede utilizar para mejorar la eficiencia de las células solares de los CIGS por más de 1 punta de porcentaje. Esto es lograda depositando una capa densa y conformal del almacenador intermediaro del Zn del oxisulfuro del cinc (O, S).

Capa del almacenador intermediaro de Beneq ALD para las células solares de los CIGS

Usando ALD elimina convenientemente el único paso de progresión líquido de la deposición de la fase, deposición química del baño (CBD), del flujo de proceso, que a su vez simplifica rutinas de la producción y reduce importante costo. El Sistema de la Película Fina de TFS 1200 de Beneq se diseña para la deposición en línea de la capa del almacenador intermediaro en CIGS. Puede recubrir los paneles 1200 del × 1200 (milímetro) en una producción de 12 paneles por hora y 100.000 m2 por año, equivalente a un total de 12 MWp por año. En una configuración fuera de línea la producción puede ser duplicada.

Tecnología de Beneq ALD Que Reemplaza Capa Convencional del Almacenador Intermediaro del Sulfuro de Cadmio

La tecnología de Beneq ALD activa reemplazar la capa convencional del almacenador intermediaro del sulfuro de cadmio (Cdes) por una con una energía más alta de la separación de banda y una transmisión pálida, así dando por resultado un más de 1 aumento de la punta de porcentaje en eficiencia de la unidad. Con ALD, es posible ajustar y optimizar la relación de transformación del azufre del oxígeno (O/S) del parecido a la película para que haya el panel de los CIGS. Las propiedades intrínsecas de las capas de ALD, conformal y denso, activan cegar aumentado de agujeritos en las células de los CIGS.

Deposición Atómica de la Capa y Capas Cadmio-Libres del Almacenador Intermediaro

ALD ofrece a fabricante de células solares de los CIGS la oportunidad de introducir las capas cadmio-libres del almacenador intermediaro, que los medios menos de una carga en el ambiente y las rutinas materiales internas menos rigurosas del seguro. ALD es un proceso seco de la capa, que significa que hay ninguna manipulación excesiva del agua, ningunos efluentes tóxicos y ninguna necesidad de la purificación de las aguas residuales. Además, el equipo de Beneq ALD puede ser inconsútil integrado en la cadena de producción, junto a la otra deposición de vacío camina, dando por resultado la exposición insignificante del substrato a los gases atmosféricos.

Sistema de la Película Fina de TFS 1200 para la Deposición Atómica de la Capa

El Beneq TFS 1200 es un ALD que tramita el módulo que es integrado en la evaporación de los CIGS o la termal rápida que tramita (RTP) líneas del selenization. El tiempo de la Deposición para las 30 capas gruesas del almacenador intermediaro del Zn del nanómetro (O, S) es menos de 5 ALD mínimos son más compactos y menos costosos que los CBD-CD convencionales protegen procesos de la capa.

Más información sobre el TFS 1200 está disponible en la paginación 1200 del equipo de TFS.

Fuente: Beneq

Para más información sobre esta fuente visite por favor Beneq

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:44

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