TFS 1200 の Beneq 著原子層の沈殿システムを使用して CIGS の太陽電池のバッファ (ALD)層の沈殿

カバーされるトピック

概要
CIGS の太陽電池の効率を改善する原子層の沈殿
慣習的な硫化カドミウムバッファ層を取り替える Beneq ALD の技術
原子層の沈殿およびカドミウムなしのバッファ層
原子層の沈殿のための TFS 1200 の薄膜システム

概要

フィンランドで基づいて Beneq Oy は全体的な市場のための装置およびコーティングの技術の製造者です。 Beneq は成功にガラスの、太陽および出現の薄膜の市場の cleantech および再生可能エネルギーフィールドのためのアプリケーションそして装置を、特に発達させることによって革新を回します。 コーティングのアプリケーションは光学、障壁および不動態化の層、またエネルギー生成および保存含んでいます。 Beneq はまた完全なコーティングサービスを提供します。 Beneq のコーティングのアプリケーションは 2 つの可能になるナノテクノロジーのプラットホームに基づいています: 原子層の沈殿 (ALD)およびエーロゾルのコーティング (nHALO® および nAERO®)

CIGS の太陽電池の効率を改善する原子層の沈殿

最も有望なセルの 1 つは今日銅インジウムガリウムdiselenide (CIGS) です。 1 つパーセント・ポイント (ALD)以上原子層の沈殿が CIGS の太陽電池の効率を改善するのに使用することができます。 これは密な、等角亜鉛酸硫化物の Zn (O、 S) バッファ層の沈殿によって達成されます。

CIGS の太陽電池のための Beneq ALD バッファ層

ALD を使用して便利にそれから生産ルーチンを簡素化し、かなりコストを削減する (CBD)プロセスフローから唯一の液体段階の沈殿ステップ、化学浴室の沈殿を、除去します。 Beneq からの TFS 1200 の薄膜システムは CIGS のインラインバッファ層の沈殿のために設計されています。 それは 1 年ごとの 12 MW の合計と同等の 1 年ごとの 1 時間そして 100,000 の m あたり 12 のパネルの2 スループットで 1200 の × 1200 の (mm) パネルにp 塗ることができます。 オフ・ライン構成でスループットは倍増することができます。

慣習的な硫化カドミウムバッファ層を取り替える Beneq ALD の技術

従って Beneq ALD の技術は単位の効率のパーセント・ポイントの増加以上 1 つに終って高いバンドギャップエネルギーおよび光通信との 1 つとの慣習的な硫化カドミウム (カドミウム) バッファ層の置換を、可能にします。 ALD を使うと、 CIGS のパネルのためにフィルムのタイプの酸素の硫黄 (O/S) の比率を調節し、最適化することは可能です。 ALD のコーティングの本質的な特性は、等角および密、 CIGS のセルのピンホールの高められた妨害を可能にします。

原子層の沈殿およびカドミウムなしのバッファ層

ALD は CIGS の太陽電池の製造業者に環境およびより少なく厳しい社内物質的な安全ルーチンのロードのより少なく平均カドミウムなしのバッファ層をもたらす機会を提供します。 ALD は廃水の浄化のための余分な水が処理、有毒な流水および必要性ないことを意味する乾燥したコーティングプロセスです。 さらに、 Beneq ALD 装置は大気ガスへの基板の僅かな露出に終って歩みます、他の真空沈殿の横の生産ラインに継ぎ目無く統合されます。

原子層の沈殿のための TFS 1200 の薄膜システム

Beneq TFS 1200 は selenization ラインを処理する CIGS の蒸発か急速な上昇温暖気流に統合されているモジュールを処理する (RTP) ALD です。 nm の厚い Zn (O、 S) バッファ層 30 のための沈殿時間は慣習的な CBD カドミウムが層プロセスを緩衝するより比較的安価 5 最少 ALD がよりコンパクト、であるよりより少しです。

TFS 1200 についてのより多くの情報は TFS 1200 の装置のページで使用できます。

ソース: Beneq

このソースのより多くの情報のために Beneq を訪問して下さい

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:20

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