TFS 1200 Beneq의 원자 층 공술서 시스템을 사용하는 CIGS 태양 전지에 버퍼 (ALD) 층의 공술서

커버되는 토픽

개관
CIGS 태양 전지의 효율성을 향상하는 원자 층 공술서
전통적인 카드뮴 황하물 버퍼 층을 대체하는 Beneq ALD 기술
원자 층 공술서 및 카드뮴 자유로운 버퍼 층
원자 층 공술서를 위한 TFS 1200 박막 시스템

개관

핀란드에서 기지를 둔 Beneq Oy는, 글로벌 시장을 위한 장비와 코팅 기술의 공급자입니다. Beneq는 성공으로 유리의, 태양 및 나오 박막 시장에서 cleantech와 재생 가능 에너지 필드를 위한 응용 그리고 장비를, 특히 발육시켜서 혁신을 돕니다. 코팅 응용은 광학, 방벽 및 패시베이션 층, 뿐 아니라 에너지 발생 및 보존 포함합니다. Beneq는 또한 완전한 코팅 서비스를 제안합니다. Beneq의 코팅 응용은 2개의 가능하게 하는 나노 과학 플래트홈에 근거를 둡니다: 원자 층 공술서 (ALD)연무질 코팅 (nHALO®와 nAERO®).

CIGS 태양 전지의 효율성 향상 원자 층 공술서

가장 유망한 세포의 한개는 오늘 구리 인듐 갈륨 diselenide (CIGS)입니다. 원자 층 공술서는 (ALD) 1개 퍼센티지 포인트에 의해 CIGS 태양 전지의 효율성을 향상하기 위하여 이용될 수 있습니다. 이것은 조밀한 등각 아연 산황화물 Zn (O, S) 버퍼 층을 예금해서 달성됩니다.

CIGS 태양 전지를 위한 Beneq ALD 버퍼 층

ALD를 사용하여 편리하게 차례차례로 생산 일과를 간단하게 하고 중요하게 비용을 삭감하는 가공 (CBD) 교류에서 유일하게 액체 단계 공술서 단계, 화학 목욕 공술서를, 삭제합니다. Beneq에서 TFS 1200 박막 시스템은 CIGS에 인라인 버퍼 층 공술서를 위해 디자인됩니다. 그것은 년 당 12 MW 토탈과 동등한 년 당 시간 그리고 100,000 m 당 12의 위원회의2 처리량에 1200년 × 1200년 (mm) 위원회를p 입힐 수 있습니다. 따로 잇기 윤곽에서 처리량은 두배로 될 수 있습니다.

전통적인 카드뮴 황하물 버퍼 층 대체 Beneq ALD 기술

Beneq ALD 기술은 부대 효율성에 있는 퍼센티지 포인트 증가 이상의 1개의 결과로 더 높은 띠 간격 에너지 및 광선 전송에 하나로 전통적인 카드뮴 황하물 (카드뮴) 버퍼 층의 교환을, 따라서 가능하게 합니다. ALD로, CIGS 위원회를 위해 필름 모형의 산소 황 (O/S) 비율을 조정하고 낙관하는 것이 가능합니다. ALD 코팅의 내재적 성질은, 등각과 조밀한, CIGS 세포에 있는 작은 구멍의 강화한 막기 가능하게 합니다.

원자 층 공술서 및 카드뮴 자유로운 버퍼 층

ALD는 CIGS 태양 전지의 제조자에게 환경 및 보다 적게 엄격한 사내 물자 안전 일과에 짐의 보다 적게의 방법 카드뮴 자유로운 버퍼 층을 소개하는 기회를 제공합니다. ALD는 폐수 정화를 위한 과도한 근해가 취급, 유독한 유출물 및 필요 없다는 것을 의미하는 건조한 코팅 프로세스입니다. 추가적으로, Beneq ALD 장비는 대기 가스에 기질의 사소한 노출의 결과로 족답합니다, 그밖 진공 공술서 나란히 생산 라인으로 이음새가 없 통합, 일 수 있습니다.

원자 층 공술서를 위한 TFS 1200 박막 시스템

Beneq TFS 1200년은 selenization 선을 가공하는 CIGS 증발 또는 급속한 열로 통합 인 모듈을 가공하는 (RTP) ALD입니다. 30개 nm 두꺼운 Zn (O, S) 버퍼 층을 위한 공술서 시간은 전통적인 CBD 카드뮴이 층 프로세스를 부드럽게 하다 보다는 비교적 싸다 5 사소 ALD가 더 조밀하고 이하 입니다.

TFS 1200년에 관하여 추가 정보는 TFS 1200년 장비 페이지에 유효합니다.

근원: Beneq

이 근원에 추가 정보를 위해 Beneq를 방문하십시오

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:23

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