Низложение Амортизирующих Слоев на Фотоэлементах CIGS используя Систему Низложения Слоя TFS 1200 (ALD) Атомную Beneq

Покрытые Темы

Обзор
Атомное Низложение Слоя Улучшая Эффективность Фотоэлементов CIGS
Технология Beneq ALD Заменяя Обычный Амортизирующий Слой Сульфида Кадмия
Атомное Низложение Слоя и Кадми-Свободные Амортизирующие Слои
Система Тонкого Фильма TFS 1200 для Атомного Низложения Слоя

Обзор

Beneq Oy, основанное в Финляндии, поставщик технологии оборудования и покрытия для мировых рынков. Beneq поворачивает рационализаторства в успех путем развивать применения и оборудование для полей cleantech и возобновляющей энергии, специально в рынках стекла, солнечных и вытекать тонкого фильма. Применения Покрытия включают оптику, барьеры и слои запассивированности, так же, как поколение и консервацию энергии. Beneq также предлагает полные обслуживания покрытия. Применения покрытия Beneq основаны на 2 позволяя платформах нанотехнологии: Атомное Низложение Слоя (ALD) и покрытие аэрозоля (nHALO® и nAERO®).

Атомное Низложение Слоя Улучшая Эффективность Фотоэлементов CIGS

Одна из самых перспективнейших клеток сегодня мед-инди-галлий-diselenide (CIGS). Атомное низложение слоя (ALD) может быть использовано для того чтобы улучшить эффективность фотоэлементов CIGS больше чем 1 процентом. Это достигано путем депозировать плотный и конформный амортизирующий слой Zn серозакиси цинка (O, S).

Амортизирующий слой Beneq ALD для фотоэлементов CIGS

Используя ALD удобно исключает единственный жидкофазовый шаг низложения, химическое низложение ванны (CBD), от потока процесса, который в свою очередь упрощает режимы продукции и значительно уменьшает цену. Система Тонкого Фильма TFS 1200 от Beneq конструирована для встроенного низложения амортизирующего слоя на CIGS. Она может покрыть панели 1200 × 1200 (mm) на объём 12 панелей в час и 100.000 m2 в год, соответствующем к итогу 12 MWp в год. В автономной конфигурации объём можно удвоить.

Технология Beneq ALD Заменяя Обычный Амортизирующий Слой Сульфида Кадмия

Технология Beneq ALD включает заменять обычный амортизирующий слой сульфида кадмия (Компактных дисков) с одним с более высокой энергией зазора диапазона и светлой передачей, таким образом приводящ к в увеличении больше чем 1 процента в эффективности блока. С ALD, возможно отрегулировать и оптимизировать коэффициент серы кислорода (O/S) типа фильма для панели CIGS. Внутреннеприсущие свойства покрытий ALD, конформно и плотно, включают увеличенный преграждать pinholes в клетках CIGS.

Атомное Низложение Слоя и Кадми-Свободные Амортизирующие Слои

ALD предлагает изготовлению фотоэлементов CIGS возможность ввести кадми-свободные амортизирующие слои, которые середины более менее нагрузки на окружающей среде и более менее строгих внутренних материальных режимах безопасности. ALD сухой процесс покрытия, который значит что никакой чрезмерно регулировать воды, никакие токсические effluents и никакая потребность для очищения сточных водов. В добавлении, оборудование Beneq ALD может быть плавно интегрировано в производственную линию, наряду с другим вакуумным напылением шагает, приводящ к в незначительной выдержке субстрата к атмосферическим газам.

Система Тонкого Фильма TFS 1200 для Атомного Низложения Слоя

Beneq TFS 1200 ALD обрабатывая модуль который интегрирован в испарение CIGS или быстрый восходящий поток теплого воздуха обрабатывая (RTP) линии selenization. Время Низложения для 30 амортизирующих слоев Zn nm толщиных (O, S) чем 5 минимальных ALD более компактны и более менее дороги чем обычные процессы амортизирующего слоя CBD-Компактных дисков.

Больше информации о TFS 1200 доступны на странице 1200 оборудования TFS.

Источник: Beneq

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите Beneq

Date Added: Jan 14, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:41

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit