SMS-NIL - 软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷简介由 EV 组

包括的事宜

概览
软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷
软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷的原则
软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷版本记录的示例
软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷唯一功能
软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷的采购选项

概览

EV 组 (EVG) 瞄准先进包装,化合物半导体和基于硅的功率设备, MEMS、纳米技术和 SOI 市场与其领先业界的薄酥饼接合,石版印刷/nanoimprint 石版印刷 (零),计量学、光致抗蚀剂涂层、清洁和检验设备。

EV 组 (EVG) 是一个被认可的技术和市场带头人薄酥饼处理设备的。 我们规定了对齐的薄酥饼接合的全世界业界标准以及抵抗处理为 MEMS,纳诺和半导体行业。 我们的技术专门技术使客户由提供提前的和证明的处理解决方法开发和顺利地把他们的创新商业化从 R&D 到批量生产。 论及各种各样的设备 R&D 应用以及充分地自动化的进程是长期,合作关系的结果与全球客户我们广泛的列表的。

软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷

EVG 的证明的 UV-NIL 系统SMS-NIL 提供客户以一个可重复,有效进程为导致超高分辨率仿造在大区出现。 SMS-NIL 启用超高解决方法仿造功能下来到 12.5 毫微米。 使用 SMS-NIL 的虚拟运作的印花税 nanoimprint 进程,客户可执行全区 nanoimprints 和光学上对齐的 UV-NIL 在现有的 EVG 设备。 同样,这种印花税和印在同一个工具可以被处理,无需要求另外的处理步骤节省额客户重大的加工时间和货币。

软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷的原则

从高分辨率,消耗大的主要模板复制的 SMS-NIL 用途聚合物运作的印花税,并且可以为多个版本记录使用。 得到的工作印花税有相对低表面能,在这个印的进程以后保证从这个基体的更加容易的分隔。 内在的软的印花税有形资产主要减少主要模板的机械故障的风险和因而提高他们的寿命。

SMS-NIL 的加工成本显着低比在其他纳诺仿造的技术,做 SMS-NIL 多种应用的一个更加成功和强大的石版印刷技术。 SMS-NIL 已经用于产业环境为 CMOS 图象传感器微透镜造型和其他光学应用。

极其细小的功能的解决方法暗示新的材料和一个优化流程可靠和可重复印的在大区使用 EVG 的源远流长的 UV-NIL 系统。 主要印花税由 IMS AG 维也纳极小制作制造使用 CHARPAN (nanopatterning 与离子多射线投影) 的荷电粒子。


来源: EVG.

软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷版本记录的示例

12.5 毫微米线路和小点的围绕图象显示 SMS-NIL 版本记录结果与在 100 个 mm Si 薄酥饼的一个 EVG620 零系统复制的 2:1 长宽比。


12.5 毫微米半间距 L/S 结构
来源: EVG, IMS AG,维也纳极小制作礼貌。


关闭 12.5 毫微米半间距 L/S 结构
来源: EVG, IMS AG,维也纳极小制作礼貌。


12.5 毫微米半间距小点
来源: EVG, IMS AG,维也纳极小制作礼貌。


关闭 12.5 毫微米半间距小点
来源: EVG, IMS AG,维也纳极小制作礼貌。

软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷唯一功能

SMS-NIL 唯一功能包括:

  • 所有权好处的费用由于
    • 对聚合物印花税的使用
    • 没有需要适用反停留层
    • 主要模板的守恒
    • 软的印花税的多个可再用性
  • 最高分辨率与聚合物印花税
  • 大区版本记录功能
  • 可适用在所有 EVG UV-NIL 系统 (EVG620EVG6200智商直线对准器EVG770)

软的分子缩放比例紫外Nanoimprint 石版印刷的采购选项

EV 组提供 SMS-NIL 的二个灵活的采购选项。 是对引起从事感兴趣的客户标记内部可能采购 EV 组的加工技术咨询学校服务启用他们自己的应用程序开发。 EV 组也提供采购运作的印花税的选项准备好处理。

显示的结果由奥地利纳诺主动性 (www.nanoinitiative.at、 FFG 和 BMVIT) 资助通过 NILdirect_stamp,并且 NILaustria 项目的 NILstamp_replication 项目成群 (www.NILaustria.at)。

来源: EV 组

关于此来源的更多信息请拜访 EV 组

Date Added: Jan 17, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 03:54

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