AZoNano 著
目録
導入 窒化物のヘテロ構造の利点 AlN の最適化されたテンプレート AlN のテンプレートの改善された品質 AlN の最適化されたテンプレートの表面の形態 概要 オックスフォードの器械血しょう技術について 導入
III-V の窒化物の半導体は強力な高周波のための優秀な候補者 RF 力の拡大であるために知られています。 他の半導体材料上の III-V の窒化物の主利点は下記のようにリストされています:
- III-V の窒化物に大きい bandgaps がありますそれ故に対応する大きい故障の電界がある
- 優秀な熱伝導度
- よい電子輸送特性
- ヘテロ構造を形作る機能。
窒化物のヘテロ構造の利点
他の III-V の半導体および SiC と比較されたとき、これらの窒化物のヘテロ構造に高い発電のために必要である非常に高い 2DEG 密度、 4G 無線移動式端末のために (HEMTs)強力でコンパクトでエネルギー効率が良い伝達アンプで使用されるように意図されている高い電子移動性のトランジスターがあります。 慣習的な AlGaN/GaN のヘテロ構造はエピタクシー的に SiC またはサファイアのような絶縁するか、または半絶縁の基板の GaN の厚い層の AlGaN の層を沈殿させることによって普通形作られます。 緊張の誘導された自発の分極は二次元の電子ガス (2DEG) に終って AlGaN の高く肯定的な分極の AlGaN/GaN の境界で、原因となります。
AlN の最適化されたテンプレート
慣習的な AlGaN/GaN のヘテロ構造が SiC の基板を使用して AlN の層で直接育ったときに HEMT 装置のパフォーマンスに重要な改善があります。 AlN のこれらのテンプレートを、メカニズムを分散させる転位および電子流出は大きさに挿入している間減り、 2DEG 拘束は高められます。 そのようなアプリケーションは SiC の AlN の良質のテンプレートのために新しい HEMTs の装置パフォーマンスを高めるために要求を高めました。 オックスフォードの器械 - TDI、 V. Ivantsov V. Soukhoveev によって、および A. Volkova は導かれる、グループ最近以外軸線 6H SiC の基板の水素化合物蒸気段階のエピタクシーによって沈殿する AlN の厚い層の構造特性そして表面の形態を高めるために (HVPE)成長プロシージャを最適化してしまいました。
AlN のテンプレートの改善された品質
最適の核形成および成長の状態の使用によって、グループはおよそ 150 の arcsec の前に報告された結果上の大きい改善である高リゾリューションの X 線回折によって測定される反射 (HRXRD)のための動揺のカーブのおよそ 40 の arcsec の FWHM の AlN の層を作り出すことができます。 線幅 SIC の基板のそれに非常に近く、 AlN のエピタキシアル層に非常に低いねじ転位密度 (£10 cm) および図6 に示すように-2基底の平面へ常態のまわりで小さい傾くことがあることを示します。 1。
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図 1。 SiC の基板および HVPE から取られた XRD の動揺のカーブは AlN の層 (対称の 00.6 そして 00.2 の反射、それぞれ) を沈殿させました。 基板の FWHMs と AlN の層の高い構造完全さを提案するエピタキシアル層の非常に低い違いに注意して下さい。 現在の方法はまた前の報告されたデータと比べて徹底的な改善を示しました。
AlN の最適化されたテンプレートの表面の形態
非対称的な反射の相互スペースマップおよび測定された格子パラメータはまたエピタキシアル層の十分にリラックスした状態を提案します。 AlN の層の表面の形態は原子力の顕微鏡検査によって更に特徴付けられます (AFM)。 層の展示品の鏡のような表面より少し図 2. に示すように 10x10 um 領域上のより 2.5 nm のルート不偏分散2 (RMS) の荒さ。
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AlN の層の 10x10 um スキャン領域上の図2 2. 原子力の顕微鏡検査の測定は表面荒さで ~2 に nm RMS を示します。
概要
洗練された技術を使用して、グループはこれらのテンプレートを HEMTs の大量の生産のために完全にさせる 80 μm の低いボーイングの厚さの 20 までμm が付いている AlN の良質のテンプレートを作り出せます。
Bernard Scanlan、オックスフォードの器械の総務部長 - TDI 部、ことをオックスフォードの器械示しました - は TDI のチーム絶えず HVPE のテンプレートの製品を改良するように努力しました持っています。 会社は意気盛んこれらの AlN のテンプレートの製品の需要があるかなりの増加を近い将来に見るために彼追加しましたです。
オックスフォードの器械血しょう技術について
オックスフォードの器械血しょう技術は研究開発にかかわる顧客を処理する半導体に高性能、適用範囲が広いツールおよび生産の範囲を提供します。 彼らは 3 つのメインエリアを専門にします:
- 腐食
- RIE、 ICP、 DRIE、 RIE/PE のイオンビーム
- 沈殿
- PECVD、 ICP CVD、 Nanofab、 ALD、 PVD、 IBD
- 成長
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この情報はオックスフォードの器械血しょう技術によって提供される材料から供給され、見直され、そして適応させて。
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