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簡介 氮化物異質結構的好處 優化 AlN 模板 AlN 模板的被改進的質量 優化 AlN 模板表面形態學 彙總 關於牛津儀器等離子技術 簡介
III-V 氮化物半導體知道是高頻率的非常好的候選人，威力強大， RF 功率放大作用。 III-V 氮化物的關鍵好處在其他半導體材料的如下是列出的：
- 他們有對應的大細分電場的 III-V 氮化物有大 bandgaps 因此
- 優越導熱性
- 好電子輸運性質
- 能力形成異質結構。
氮化物異質結構的好處
當與甚而其他 III-V 半導體和 SiC 比較，這些氮化物異質結構有非常對大功率是重要的高 2DEG 密度，高電子流動性晶體管 (HEMTs)，打算用於威力強大的緊湊省能源的傳輸放大器為 4G 無線移動崗位。 一種常規 AlGaN/GaN 異質結構由外延存款 AlGaN 層典型地形成在一塊厚實的 GaN 層的在绝緣的或半绝緣的基體例如 SiC 或青玉。 張力導致的和自發極化導致在 AlGaN 的高正極化，造成二維電子氣 (2DEG) 在 AlGaN/GaN 限定範圍。
優化 AlN 模板
使用 SiC 基體，當常規 AlGaN/GaN 異質結構直接地在 AlN 層增長有在 HEMT 設備性能的重大的改善。 當插入這些 AlN 模板時，到批量項目貨簽減少脫臼分散結構的和電子溢出，并且 2DEG 分娩被提高。 這樣應用為在 SiC 的更加優質的 AlN 模板增加需求為了提高新的 HEMTs 的設備性能。 在牛津儀器 - TDI、 V. 導致的這個組 Ivantsov V. Soukhoveev 和 A. Volkova，最近優選增長程序提高結構上的屬性和通過氫化物在軸 6H Sic 基體的蒸氣階段外延存款的厚實的 AlN (HVPE) 層表面形態學。
AlN 模板的被改進的質量
通過使用最佳的生核和增長情況，這個組能導致與大約 40 弧秒 FWHM 的 AlN 層高分辨率 X 光衍射評定的反射的晃動的曲線 (HRXRD)，是在大約 150 弧秒的以前報告的結果的巨大改善。 行寬是非常接近那 SIC 基體，向顯示 AlN 外延層有一個卓越地低螺型位錯密度 (£106 cm-2) 和小掀動在正常附近對基礎飛機如圖所顯示。 1.
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圖 1。 從 SiC 基體和 HVPE 採取的 XRD 晃動的曲線存款 AlN 層 (對稱 00.6 和 00.2 反射，分別)。 注意在這個基體的 FWHMs 和建議 AlN 層的高結構上的完美的外延層之間的卓越地低區別。 與早先報告的數據比較，現時方法也顯示了猛烈改善。
優化 AlN 模板表面形態學
倒易空間映射不對稱的反射和被評定的格子參數也建議這塊外延層的一個充分地輕鬆的狀態。 AlN 層的表面形態學描繪的進一步是為基本強制顯微學 (AFM)。 層展覽的鏡子般的表面少於 2.5 毫微米根在 10x10 um 區的均方 (RMS)2 坎坷如圖 2. 所顯示。
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圖 2. 在 10x10 um AlN 層掃描區的2 基本強制顯微學評定在地面粗糙度顯示 ~2 毫微米 RMS。
彙總
使用這個複雜的技術，這個組能導致與 20 μm 的優質 AlN 模板在與 80 μm 低弓法的厚度，使這些模板理想對 HEMTs 的大容積生產。
Bernard Scanlan，牛津儀器的總經理 - TDI 部門，闡明，牛津儀器 - TDI 小組有不斷地努力改進其 HVPE 模板產品。 這家公司是興高采烈的在不久的將來發現一個嚴重的增量受歡迎這些 AlN 模板產品，他添加了。
關於牛津儀器等離子技術
牛津儀器等離子技術提供高性能、靈活的工具給處理客戶的半導體介入研究與開發和生產的範圍。 他們專門化三個主要地區：
- 銘刻
- RIE， ICP， DRIE， RIE/PE，離子束
- 證言
- PECVD， ICP CVD， Nanofab， ALD， PVD， IBD
- 增長
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此信息是來源，覆核和適應從牛津儀器等離子技術提供的材料。
關於此來源的更多信息，请請參觀牛津儀器等離子技術。