Incisione di Nanoscale Facendo Uso della Sorgente della Cobra ICP

Da AZoNano

Indice

Introduzione
Sfide Affrontate in Incisione di Nanoscale
Sorgente della Cobra
Circa Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford

Introduzione

La Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford (OIPT) sta lavorando incisione del nanoscale per parecchie dimensioni di inclusione di anni inferiore a 100 nanometro e stanno aggiungendo continuamente al loro portafoglio del `' dei materiali incisi. La flessibilità di nuova sorgente della Cobra ICP permetterà all'accelerazione della loro capacità in incisione del nanoscale. OIPT è stabilito bene per sfruttare la rivoluzione crescente di nanotecnologia, non solo con i loro strumenti incisione ma anche con i loro strumenti del deposito e della crescita. Sono un fornitore principale di tali strumenti a molti degli impianti principali di ricerca in nanotecnologia ed università nel mondo. Questa nota di applicazione mette a fuoco sull'aspetto incisione di nanotecnologia, dove ci sono parecchie applicazioni in memorie, visualizzazioni, unità novelle di computazione optoelettronica e di quantum a semiconduttore.

Sfide Affrontate in Incisione di Nanoscale

Incisione di Nanoscale è fondamentalmente difficile per due ragioni di base:

  1. Trasporto Difficile delle specie neutrali dentro e fuori di più piccole funzionalità e
  2. Gli effetti Aumentati del carico dagli ioni e dagli elettroni come muri laterali si avvicinano insieme. La situazione è composta dal fatto che nella progettazione delle unità più minuscole, gli strizzacervelli laterali è solitamente più degli strizzacervelli verticali in modo da degli aumenti di allungamento.

Gli strumenti di OIPT ICP hanno la capacità di funzionare a pressione bassa eppure con alta densità del plasma e tendenziosità (controllabile) bassa di CC che possono essere confrontate a RIE semplice. La pressione Bassa migliora l'anisotropia diminuendo la dispersione delle specie dalle collisioni di fase gassosa.

Sorgente della Cobra

L'ultima sorgente della Cobra fornisce la flessibilità aumentata con le seguenti opzioni:

  1. Il distanziatore Attivo permette al controllo indipendente di distribuzione dello ione e dell'uniformità trattata ottimizzata offerte attraverso l'elettrodo.
  2. Pulsare: Sorgente dell'ICP. Pulsare diminuisce il wafer che addebita incisione migliorata di allungamento. Può anche essere usato per adeguamento dei rapporti del radicale di ione. La potenza Diagonale che pulsa, che è fatta normalmente con potenza a bassa frequenza diminuisce dentellare alle interfacce con gli isolanti e minimizza incisione dipendente di allungamento (ARDE).

Il Libro Bianco si è riferito sotto le elasticità a parecchi esempi incisione del nanoscale nei campi specifici della litografia dell'nano-impronta e fori come pure silicio di cristallo fotonico ed altre incissione all'acquaforte varie. I due esempi forniti qui nella Figura 1 e Figura 2 sono per gentile concessione di Fisica di Anders Holmberg, del Biomedical e dei Raggi X, l'Istituto di Tecnologia Reale, Stoccolma, Svezia.

La Figura 1. chimica2 trattata della O a -100°C usa la capacità di bassa temperatura del Sistema 100 ICP65 per incisione anisotropa del polyimide del nanoscale di HAR. 50 polyimide-grate del mezzo passo di nanometro, 500 il nanometro (10:1 dell'AR) .10nm d'altezza hanno evaporato la maschera dura di titanio. Tariffa 100nm/min. incissione all'acquaforte del Polyimide.

La Figura 2. chimica2 trattata del Cl ha utilizzato nel Sistema 100 ICP65 per l'alto GE anisotropo del nanoscale di allungamento che incide la maschera dura di titanio evaporata 10nm. Mezzo passo GE-Stridente, 310nm di tariffa 100nm/min. 25 nanometro incissione all'acquaforte di GE in profondità (l'AR 12: 1).

Legga Incisione completa di Nanoscale della recensione nei Sistemi degli Strumenti ICP di Oxford in White paper creato da trasferibile Gallese di Colin dal sito della Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford.

Circa Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford

La Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford fornisce un intervallo del rendimento elevato, degli strumenti flessibili ai clienti di trattamento a semiconduttore addetti a ricerca e sviluppo e della produzione. Si specializzano in tre aree principali:

  • Incissione All'acquaforte
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Raggio Ionico
  • Deposito
    • PECVD, CVD dell'ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Crescita
    • HVPE, Nanofab

Questi informazioni sono state originarie, esaminate ed adattate dai materiali forniti dalla Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford.

Per ulteriori informazioni su questa sorgente, visualizzi prego la Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford.

Date Added: Nov 16, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 09:25

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