Вытравливание Nanoscale Используя Источник ICP Кобры

AZoNano

Содержание

Введение

Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда (OIPT) работала на вытравливании nanoscale для размеров несколько лет отличая под 100 nm и они постоянно добавляют к их портфолио `' вытравленных материалов. Гибкость нового источника ICP Кобры включит ускорение их емкости в вытравливании nanoscale. Установлены, что хорошо эксплуатирует OIPT растущий виток нанотехнологии, не только с их инструментами вытравливания но также с их инструментами роста и низложения. Они ведущий поставщик таких инструментов к много из главных средств исследования нанотехнологии и университеты в мире. Это примечание по применению фокусирует на аспекте вытравливания нанотехнологии, где несколько применений в памятях, дисплеях, романных вычислительных приборах полупроводника, электронно-оптический и суммы.

Возможности Ые в Вытравливании Nanoscale

Инструменты OIPT ICP имеют способность работать на низком давлении но с высокой плотностью плазмы и низким (controllable) смещением DC которую можно сравнить к простому RIE. Низкое давление увеличивает неизотропность путем уменьшение разбрасывать вида столкновениями участка газа.

Источник Кобры

Самый последний источник Кобры обеспечивает увеличенную гибкость через следующие варианты:

1. Активная прокладка включает независимое регулирование распределения иона и предлагает оптимизированное отростчатое единообразие через электрод.
2. Пульсировать: Источник ICP. Пульсировать уменьшает вафлю поручая для увеличенного вытравливания коэффициента сжатия. Оно может также быть использован для регулировки коэффициентов радикала иона. Косая сила пульсируя, которая сделана нормально с низкочастотной силой уменьшает надрезать на интерфейсах с изоляторами и уменьшает вытравливание коэффициента сжатия зависимое (ARDE).

Белая бумага сосланная к внизу дает несколько примеров вытравливания nanoscale в специфических зонах литографирования nano-отпечатка и фотонных кристаллических отверстий так же, как кремния и других разносторонних etches. 2 примера, котор дали здесь в Диаграмме 1 и Диаграмме 2 любезностью Физики Андерса Holmberg, Biomedical и Рентгеновского Снимка, Королевского Института Технологии, Стокгольма, Швеци.

Диаграмма 1. химия₂ O отростчатая на -100°C использует возможность низкой температуры Системы 100 ICP65 для вытравливания polyimide nanoscale HAR неравносвойственного. 50 polyimide-решеток половин-тангажа nm, 500 nm высокое (10:1 AR) .10nm испарили titanium трудную маску. Тариф 100nm/min. etch Polyimide.

Диаграмма 2. химия₂ Cl отростчатая использовала в Системе 100 ICP65 для Ge nanoscale высокого коэффициента сжатия неравносвойственного вытравляя маску испаренную 10nm titanium трудную. Половин-тангаж Ge-Grating, 310nm тарифа 100nm/min. 25 nm etch Ge глубоко (AR 12: 1).

Прочитайте полное Вытравливание Nanoscale обзорной статьи в Системах ICP Аппаратур Оксфорда в Белой Бумаге authored загружаемый Colin Валлийское от места Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда.

О Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда

Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда снабубежит ряд высокой эффективности, гибких инструментов полупроводник обрабатывая клиентов, котор включили в научные исследования и разработки, и продукции. Они специализируют в 3 главных областях:

• Etch
  • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Луч Иона
• Низложение
  • PECVD, CVD ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
• Рост
  • HVPE, Nanofab

Эта информация найденный, расмотрена и приспособлена от материалов обеспеченных Технологией Плазмы Аппаратур Оксфорда.

Для больше информации на этом источнике, пожалуйста посетите Технологию Плазмы Аппаратур Оксфорда.