使用眼镜蛇 ICP 来源的 Nanoscale 蚀刻

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简介
在 Nanoscale 蚀刻面对的挑战
眼镜蛇来源
关于牛津仪器等离子技术

简介

牛津仪器等离子技术 (OIPT)在几年功能大小的 nanoscale 蚀刻运作在 100 毫微米以下,并且他们连续补充说到他们的 ` 投资组合被铭刻的’材料。 新的眼镜蛇 ICP 来源的灵活性将启用他们的在 nanoscale 蚀刻的能力的加速度。 OIPT 很好被设立利用生长纳米技术革命,不仅与他们的蚀刻工具,而且与他们的增长和证言工具。 他们是一个主导的供应商的这样工具对许多主要纳米技术研究所和大学在世界上。 此应用注解着重纳米技术的蚀刻方面,有几种应用在内存、显示,新颖的半导体,光电子和量子计算设备里。

在 Nanoscale 蚀刻面对的挑战

Nanoscale 蚀刻为二个基本的原因是基本上困难的:

  1. 中立种类困难运输进出更小的功能的和
  2. 充电的增加的作用由离子和电子作为侧壁靠近获得。 这种情形由在更加微小的设备设计,侧向收缩比垂直的收缩,因此长宽比增量通常更多的情况加剧。

OIPT ICP 工具有这个能力运行以低压,与可以与简单的 RIE 比较的高等离子密度和低 (可控制的) DC 偏心。 低压通过减少分散提高各向异性现象种类由气相冲突。

眼镜蛇来源

最新的眼镜蛇来源通过下列选项提供增加的灵活性:

  1. 有效的间隔号启用离子配电器独立控制并且提供在电极间的优化处理均一。
  2. 搏动: ICP 来源。 搏动减少收费对改进的长宽比蚀刻的薄酥饼。 它可能为离子基比例的调整也使用。 搏动偏压的功率,通常完成与低频率功率减少刻凹痕在与装绝缘体工的界面并且使长宽比从属的蚀刻减到最小 (ARDE)。

下面是指的白皮书在纳诺版本记录石版印刷特定区域举 nanoscale 蚀刻的几个例子和光子的水晶漏洞以及硅和其他混杂铭刻。 在图 1 和表举的这里二个例子 2 是蒙安德斯霍姆伯格,生物和 X-射线物理,皇家工学院,斯德哥尔摩,瑞典好意。

图 1.2 -100°C 的 O 处理化学为 HAR 非均质性的 nanoscale 聚酰亚胺蚀刻使用系统 100 ICP65 的低温功能。 50 nm 半间距聚酰亚胺滤栅, 500 毫微米高 (AR 10:1) .10nm 蒸发了钛困难屏蔽。 聚酰亚胺铭刻费率 100nm/min。

图 2. 分类2 处理化学在系统 100 ICP65 使用了为铭刻 10nm 被蒸发的钛困难屏蔽的高长宽比非均质性的 nanoscale Ge。 Ge 铭刻 Ge 刺耳费率 100nm/min. 25 nm 的半间距, 310nm 深深 (AR 12 :1).

读在牛津仪器 ICP 系统的充分的评论文章 Nanoscale 蚀刻在 Colin 威尔士可下载编写的白皮书从牛津仪器等离子技术站点。

关于牛津仪器等离子技术

牛津仪器等离子技术提供高性能、灵活的工具给处理客户的半导体介入研究与开发和生产的范围。 他们专门化三个主要地区:

  • 铭刻
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE,离子束
  • 证言
    • PECVD, ICP CVD, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • 增长
    • HVPE, Nanofab

此信息是来源,复核和适应从牛津仪器等离子技术提供的材料。

关于此来源的更多信息,请参观牛津仪器等离子技术。

Date Added: Nov 16, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 09:07

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