使用眼鏡蛇 ICP 來源的 Nanoscale 蝕刻

AZoNano

目錄

簡介
在 Nanoscale 蝕刻面對的挑戰
眼鏡蛇來源
關於牛津儀器等離子技術

簡介

牛津儀器等離子技術 (OIPT)在幾年功能大小的 nanoscale 蝕刻運作在 100 毫微米以下,并且他們連續補充說到他們的 ` 投資組合被銘刻的』材料。 新的眼鏡蛇 ICP 來源的靈活性將啟用他們的在 nanoscale 蝕刻的能力的加速度。 OIPT 很好被設立利用生長納米技術革命,不僅與他們的蝕刻工具,而且與他們的增長和證言工具。 他們是一個主導的供應商的這樣工具對許多主要納米技術研究所和大學在世界上。 此應用註解著重納米技術的蝕刻方面,有幾種應用在內存、顯示,新穎的半導體,光電子和量子計算設備裡。

在 Nanoscale 蝕刻面對的挑戰

Nanoscale 蝕刻為二個基本的原因是基本上困難的:

  1. 中立種類困難運輸進出更小的功能的和
  2. 充電的增加的作用由離子和電子作為側壁靠近獲得。 這種情形由在更加微小的設備設計,側向收縮比垂直的收縮,因此長寬比增量通常更多的情況加劇。

OIPT ICP 工具有這個能力運行以低壓,與可以與簡單的 RIE 比較的高等離子密度和低 (可控制的) DC 偏心。 低壓通過減少分散提高各向異性現象種類由氣相衝突。

眼鏡蛇來源

最新的眼鏡蛇來源通過下列選項提供增加的靈活性:

  1. 有效的間隔號啟用離子配電器獨立控制并且提供在電極間的優化處理均一。
  2. 搏動: ICP 來源。 搏動減少收費對改進的長寬比蝕刻的薄酥餅。 它可能為離子基比例的調整也使用。 搏動偏壓的功率,通常完成與低頻率功率減少刻凹痕在與裝绝緣體工的界面并且使長寬比從屬的蝕刻減到最小 (ARDE)。

下面是指的白皮書在納諾版本記錄石版印刷特定區域舉 nanoscale 蝕刻的幾個例子和光子的水晶漏洞以及硅和其他混雜銘刻。 在圖 1 和表舉的這裡二個例子 2 是蒙安德斯霍姆伯格,生物和 X-射線物理,皇家工學院,斯德哥爾摩,瑞典好意。

圖 1.2 -100°C 的 O 處理化學為 HAR 非均質性的 nanoscale 聚酰亞胺蝕刻使用系統 100 ICP65 的低溫功能。 50 nm 半間距聚酰亞胺濾柵, 500 毫微米高 (AR 10:1) .10nm 蒸發了鈦困難屏蔽。 聚酰亞胺銘刻費率 100nm/min。

圖 2. 分類2 處理化學在系統 100 ICP65 使用了為銘刻 10nm 被蒸發的鈦困難屏蔽的高長寬比非均質性的 nanoscale Ge。 Ge 銘刻 Ge 刺耳費率 100nm/min. 25 nm 的半間距, 310nm 深深 (AR 12 :1).

讀在牛津儀器 ICP 系統的充分的評論文章 Nanoscale 蝕刻在 Colin 威爾士可下載編寫的白皮書從牛津儀器等離子技術站點。

關於牛津儀器等離子技術

牛津儀器等離子技術提供高性能、靈活的工具給處理客戶的半導體介入研究與開發和生產的範圍。 他們專門化三個主要地區:

  • 銘刻
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE,離子束
  • 證言
    • PECVD, ICP CVD, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • 增長
    • HVPE, Nanofab

此信息是來源,覆核和適應從牛津儀器等離子技術提供的材料。

關於此來源的更多信息,请請參觀牛津儀器等離子技術。

Date Added: Nov 16, 2011 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 09:10

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit