Beispiele der IonenTräger-Radierung (IBE) der Halbleiter

Durch AZoNano

Inhaltsverzeichnis

Einleitung
Beispiele von Anwendungen von Hilfsmittel Ionfab300Plus IBE
Schlussfolgerung
Über Oxford-Instrument-Plasma-Technologie


Einleitung

Der Träger OIPTS Ionen, derhilfsmittel aufbereitet, werden für eine große Auswahl von Märkten und von Anwendungen entsprochen, und dieses Vorjahr hat beträchtliche Nachfrage von den Abnehmern für unsere Ionenträgerhilfsmittel gesehen. Diese umfassen Ionenbündelätzung (IBE), Reagierende Ionenbündelätzung (RIBE) und Absetzungsanwendungen des Chemisch-Unterstützten Ionen (CAIBE)träger Ätzungs- sowie Ionen (IBD)trägers.

Beispiele von Anwendungen von Hilfsmittel Ionfab300Plus IBE

Sind Unten einige Beispiele von Anwendungen, für die das Hilfsmittel Ionfab300Plus IBE vor kurzem gekauft worden ist. Die ersten zwei Beispiele sind Mahlende IonenTräger (IBM unter Verwendung des Argongases allein) der von den Hochtemperatur-Supraleitern für die Abteilung der Mikrotechnologie und Nanoscience, Chalmers-Technische Hochschule, Schweden. SekundärIonenMASSENSPEKTROMETRIE- (SIMS)Fühlerüberwachung wird für prozesskontrolliertes in diesen Beispielen verwendet.

Beispiel 1

Diese Probe ist ein 5 x 5 mm quadrieren befunden in der Mitte eines 150 mm-Sitransportunternehmerwafers. Das Beispielmaterial war- das Strontium-Titanat, das (SrTiO)3 mit einem Schichtstapel beschichtet wurde: Au (32nm) /YBaCuO237 (40nm).

Die Ionenprägeparameter für diese Technik sind unten aufgeführt:

  • Substratflächenwinkel zum Träger: 90º
  • Trägerspannung (Energie): 250V
  • Strahlstromspezifische stromdichte (Intensität): 0,51 mA/cm2

trotz des kleinen relativen Bereiches, der durch die Probe abgedeckt wird, zeigt Abbildung 1, dass Signale von allen Elementen, die in den verschiedenen Schichten vorhanden sind, offenbar unterschieden werden können, außer Cu, welches in den Geräuschen verloren ist. Sogar werden die Isotope O und das Sr mit einer anliegenden Massenzahl (89 und 88, beziehungsweise) gut unterschieden. Die Goldschicht kann gesehen werden, durch geätzt zu werden folgte zuerst von der YBaCuO-237 Schicht. Wie diese Schicht gelöscht wird, die Sr- und Tisignale des materiellen Anstiegs der Substratfläche.

Abbildung 1. SIMS-Spuren für Probe 1

Beispiel 2

Diese Probe nahm die Gestalt eines 10 x 10mm Quadrats an, das in der Mitte eines 150 mm-Sitransportunternehmerwafers gelegen ist. Die Probe enthielt ein mehrschichtiges: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm). Die Ionenprägeparameter für diesen Prozess sind unten aufgeführt:

  • Substratflächenwinkel zum Träger: 90º
  • Trägerspannung (Energie): 500V
  • Strahlstromspezifische stromdichte (Intensität): 0,64 mA/cm2

In Abbildung 2, kann der Übergang zwischen den GaAs- und AlGaAs-Schichten offenbar gesehen werden, insbesondere vom GA-Signal. , Wie Signal auch auf die gleiche Weise zwischen die zwei Schichten schwankt, welche die verringerten Mengen dieser zwei Elemente in der AlGaAs-Legierung zeigen. Das Alsignal zeigt einer passenden Stufe des hohen Hintergrundes das Vorhandensein des Aluminiums in den Kammerbauteilen, aber die Variante von einer Schicht zur folgenden Dose jedoch offenbar wird beobachtet. Die Zeiten für jede der Schichten, Korrelate mit dem bekannten Unterschied bezüglich der Stärke (21nm) der zwei wechselnden Legierungen gut Vergleichen.

Abbildung 2. SIMS-Spuren für Probe 2

Beispiel 3 - IBE von MRAM-multilayers mit SIMS-Fühler

Das folgende Beispiel ist das SIMS - esteuertes Mahlen durch IBE des Tunnelbaus von magnetoresistenten (TMR) magnetischen multilayers für MRAM-Anwendungen an der Universität von Twente, NL, auf Ionfab300Plus-Hilfsmittel OIPTS. Dieses Hilfsmittel wurde auch mit einem cryo-abgekühlten Futter, das erreichen kann - 170 º C in 14 Minuten von der Raumtemperatur angegeben.

Die Ionenprägeparameter für diese Technik sind unten aufgeführt:

  • Substratflächenwinkel zum Träger: 90º
  • Trägerspannung (Energie): 250V
  • Strahlstromspezifische stromdichte (Intensität): 0,51 mA/cm2

Abbildung 3. SIMS-Spuren für MTJ magnetisches mehrschichtiges: Ta (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Ta (5nm) /SiO2 (2mm)/(Sisubstratfläche)

Der in hohem Grade einheitliche und langsame, esteuerte Prägeprozeß durch das mehrschichtige erlaubt, dass das SIMS verwendet wird, um an einem spezifischen Punkt im mehrschichtigen genau zu stoppen. Von der bestimmten Anmerkung in der Abbildung ist 3 das sehr beträchtliche und saubere Alsignal vom MTJ, das im MRAM-Stapel Dampfsperren ist. Die anderen Metallschichten werden offenbar unterschieden; die F.E.- und Mangan-Spitzen wurden nicht in diesem Bodenlauf erworben.

Beispiel 4 - Geglühte Zerreibenfälschung

Abbildung 4 Shows ein anderes Beispiel der Anwendung des Ionfab-Ätzungshilfsmittels OIPTS im photonics Bereich zwecks ein geglühtes Zerreiben fabrizieren. Der ` Flammenwinkel' kann durch die Substratfläche genau bestimmt werden, die Flexibilität des Hilfsmittels in Position bringt.

Abbildung 4. 300nm glühte Zerreibenätzung im Quarz

Schlussfolgerung

Der Träger OIPTS Ionen, derhilfsmittel aufbereitet, sind- für eine große Auswahl von Märkten und von Anwendungen ideal, und dieses letzte Jahr hat beispiellose Nachfrage von den Abnehmern für ihre Ionenträgerhilfsmittel gesehen.

Über Oxford-Instrument-Plasma-Technologie

Oxford-Instrument-Plasma-Technologie stellt eine Reichweite der Hochleistung, der flexiblen Hilfsmittel zum Halbleiter zur Verfügung, der die Abnehmer aufbereitet, die mit Forschung und Entwicklung beschäftigt gewesen werden, und der Produktion. Sie spezialisieren sich auf drei Hauptbereiche:

  • Ätzung
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, IonenTräger
  • Absetzung
    • PECVD, ICP CVD, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Wachstum
    • HVPE, Nanofab

Diese Informationen sind Ursprungs- angepasst gewesen, wiederholt und von den Materialien, die von der Oxford-Instrument-Plasma-Technologie bereitgestellt werden.

Zu mehr Information über diese Quelle, besuchen Sie bitte Oxford-Instrument-Plasma-Technologie.

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:41

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