Ejemplos de la Aguafuerte del Haz de Ión (IBE) de Semiconductores

Por AZoNano

Índice

Introducción
Ejemplos de Aplicaciones de la Herramienta de Ionfab300Plus IBE
Conclusión
Sobre Tecnología del Plasma de los Instrumentos de Oxford


Introducción

El haz del ión de OIPT que tramita las herramientas se adapta para una amplia gama de mercados y de aplicaciones, y este año pasado ha considerado demanda importante de los clientes para nuestras herramientas del haz de ión. Éstos incluyen el grabado de pistas del Haz Iónico (IBE), el grabado de pistas Reactivo del haz iónico (RIBE) y aplicaciones de la deposición de ión del haz (CAIBE) del haz Químico-Ayudado del Grabado De Pistas, así como (IBD) de Ión.

Ejemplos de Aplicaciones de la Herramienta de Ionfab300Plus IBE

Abajo están algunos ejemplos de las aplicaciones para las cuales la herramienta de Ionfab300Plus IBE se ha comprado recientemente. Los primeros dos ejemplos son Haz de Ión Que Friesa (IBM usando el gas del Argón solamente) de los superconductores des alta temperatura para el Departamento de la Microtecnología y Nanoscience, Universidad Tecnológica de Chalmers, Suecia. La supervisión Secundaria de la antena (SIMS) de la Espectrometría de Masa del Ión se utiliza para el mando de proceso en estos ejemplos.

Ejemplo 1

Esta muestra es 5 x 5 milímetros ajusta situado en el centro de un fulminante del portador de 150 milímetros Si. El material de la muestra era Titanato del Estroncio (SrTiO)3 recubierto con una pila de la capa: Au (32nm) /YBaCuO237 (40nm).

Los parámetros fresados del ión para esta técnica son mencionados abajo:

  • Ángulo del Substrato del haz: 90º
  • Voltaje del Haz (energía): 250V
  • Densidad corriente del Haz (intensidad): 0,51 mA/cm2

a pesar de la pequeña área relativa revestida por la muestra, el Cuadro 1 muestra que las señales de todos los elementos presentes en las diversas capas pueden ser distinguidas sin obstrucción, a excepción del Cu cuál se pierde en el ruido. Incluso los isótopos Y y el Sr con un número en masa adyacente (89 y 88, respectivamente) se distinguen bien. La capa del oro se puede considerar para ser grabado el ácido a través primero siguió por la capa237 de YBaCuO. Como se quita esta capa, las señales del Sr y del Ti de la subida material del substrato.

Cuadro 1. trazos de SIMS para la Muestra 1

Ejemplo 2

Esta muestra tomó el formulario de un cuadrado de 10 x de 10m m situado en el centro de un fulminante del portador de 150 milímetros Si. La muestra comprendió un de múltiples capas: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm). Los parámetros fresados del ión para este proceso son mencionados abajo:

  • Ángulo del Substrato del haz: 90º
  • Voltaje del Haz (energía): 500V
  • Densidad corriente del Haz (intensidad): 0,64 mA/cm2

En el Cuadro 2, la transición entre las capas del GaAs y de AlGaAs se puede considerar sin obstrucción, particularmente de la señal del GA. Como la señal también varía de manera semejante entre las dos capas que muestran las cantidades reducidas de estos dos elementos en la aleación de AlGaAs. La señal del Al muestra a alto nivel de fondo debido la presencia de aluminio en componentes del compartimiento, pero la variación a partir de una capa a la poder siguiente sin embargo se observe sin obstrucción. Comparando los tiempos para cada uno de las capas, correlativos bien con la diferencia sabida en el espesor (21nm) de las dos aleaciones de alternancia.

Cuadro 2. trazos de SIMS para la Muestra 2

Ejemplo 3 - IBE de los multilayers de MRAM con la antena de SIMS

El ejemplo siguiente es el SIMS - el fresar controlado por IBE de hacer un túnel los multilayers (TMR) magnéticos magnetoresistentes para las aplicaciones de MRAM en la Universidad de Twente, NL, en la herramienta del Ionfab300Plus de OIPT. Esta herramienta también fue suministrada un mandril cryo-enfriado que puede alcanzar - 170 el º C en 14 minutos de la temperatura ambiente.

Los parámetros fresados del ión para esta técnica son mencionados abajo:

  • Ángulo del Substrato del haz: 90º
  • Voltaje del Haz (energía): 250V
  • Densidad corriente del Haz (intensidad): 0,51 mA/cm2

Cuadro 3. trazos de SIMS para de múltiples capas magnético de MTJ: TA (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/TA (5nm) /SiO2 ()/(de 2m m substrato del Si)

El proceso fresado altamente uniforme y lento, controlado con el de múltiples capas permite que el SIMS sea utilizado para parar exacto en una punta específica en el de múltiples capas. De la nota determinada en Cuadro 3 es la señal muy importante y limpia del Al de la capa de barrera de MTJ en la pila de MRAM. Las otras capas del metal se distinguen sin obstrucción; los picos del FE y del Manganeso no fueron detectados en esta corrida.

Ejemplo 4 - Fabricación Ardida el rallar

Cuadro 4 demostraciones otro ejemplo de la aplicación de la herramienta del grabado de pistas de Ionfab de OIPT en el área del photonics para fabricar rallar ardido. El ángulo del resplandor del `' se puede determinar exacto por el substrato que coloca la adaptabilidad de la herramienta.

El Cuadro 4. 300nm se ardió grabado de pistas el rallar en cuarzo

Conclusión

El haz del ión de OIPT que tramita las herramientas es ideal para una amplia gama de mercados y de aplicaciones, y este último año ha considerado demanda sin precedente de los clientes para sus herramientas del haz de ión.

Sobre Tecnología del Plasma de los Instrumentos de Oxford

La Tecnología del Plasma de los Instrumentos de Oxford proporciona a un rango del alto rendimiento, de herramientas flexibles al semiconductor que tramita a los clientes implicados en la investigación y desarrollo, y de la producción. Se especializan en tres áreas principales:

  • Grabado De Pistas
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Haz de Ión
  • Deposición
    • PECVD, CVD del ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Incremento
    • HVPE, Nanofab

Esta información ha sido originaria, revisada y adaptada de los materiales proporcionados por Tecnología del Plasma de los Instrumentos de Oxford.

Para más información sobre esta fuente, visite por favor la Tecnología del Plasma de los Instrumentos de Oxford.

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:46

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit