Exemples Gravure de Faisceau D'ions (IBE) Des Semi-conducteurs

Par AZoNano

Table des matières

Introduction
Exemples des Applications de l'Outil d'Ionfab300Plus IBE
Conclusion
Au Sujet de la Technologie de Plasma d'Instruments d'Oxford


Introduction

Le faisceau d'ions d'OIPT traitant des outils approprié à un large éventail de marchés et d'applications, et cette année précédente a vu une demande significative des abonnées pour nos outils de faisceau d'ions. Ceux-ci comprennent gravure à l'eau forte de Faisceau Ionique (IBE), gravure à l'eau forte Réactive de faisceau ionique (RIBE) et des applications de dépôt de faisceau d'ions (CAIBE) de faisceau d'ions Chimique-Aidé Gravure À L'eau Forte, ainsi que (IBD).

Exemples des Applications de l'Outil d'Ionfab300Plus IBE

Sont Ci-dessous quelques exemples des applications pour lesquelles l'outil d'Ionfab300Plus IBE a été récent acheté. Les deux premiers exemples sont Faisceau D'ions Fraisant (IBM utilisant seul le gaz d'Argon) des supraconducteurs à hautes températures pour le Service du Microtechnology et Nanoscience, Université De Technologie de Chalmers, Suède. La surveillance Secondaire de sonde (SIMS) de Spectrométrie de Masse d'Ion est utilisée pour le contrôle du processus dans ces exemples.

Exemple 1

Cet échantillon est des 5 x 5 millimètres ajustent situé dans le centre d'un disque de porteur de 150 millimètres SI. Le matériau témoin était Titanate de Strontium (SrTiO)3 enduit d'une pile de couche : Au (32nm) /YBaCuO237 (40nm).

Les paramètres de fraisage d'ion pour cette technique sont cotés ci-dessous :

  • Cornière de Substrat avec la poutre : 90º
  • Tension de Poutre (énergie) : 250V
  • Densité de courant de Poutre (intensité) : 0,51 mA/cm2

malgré le domaine relatif de petit couvert par l'échantillon, le Schéma 1 prouve que des signes de tous les éléments actuels dans les couches variées peuvent être de manière dégagée différenciés, excepté le Cu ce qui est détruit dans le bruit. Même les isotopes Y et le Sr avec un numéro de masse adjacent (89 et 88, respectivement) sont différenciés bien. La couche d'or peut être vue pour être corrodée a suivi la première fois de la couche237 de YBaCuO. Comme cette couche est retirée, les signes de Sr et de Ti de l'augmentation matérielle de substrat.

Le Schéma 1. traces de SIMS pour l'Échantillon 1

Exemple 2

Cet échantillon a pris la forme d'un carré de 10 x de 10mm situé dans le centre d'un disque de porteur de 150 millimètres SI. L'échantillon a comporté un multicouche : GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm). Les paramètres de fraisage d'ion pour ce procédé sont cotés ci-dessous :

  • Cornière de Substrat avec la poutre : 90º
  • Tension de Poutre (énergie) : 500V
  • Densité de courant de Poutre (intensité) : 0,64 mA/cm2

Sur le Schéma 2, le passage entre les couches de GaAs et d'AlGaAs peut de manière dégagée être vu, en particulier du signe de GA. Comme signe varie également de la même manière entre les deux couches affichant les quantités réduites de ces deux éléments dans l'alliage d'AlGaAs. Le signe d'Al affiche à un niveau de fond élevé dû la présence de l'aluminium dans des composants de cavité, mais la variation d'une couche dans la prochaine boîte néanmoins de manière dégagée soit observée. Comparant les temps pour chacune des couches, corrélations bien à la différence connue dans l'épaisseur (21nm) des deux alliages alternatifs.

Le Schéma 2. traces de SIMS pour l'Échantillon 2

Exemple 3 - IBE des multilayers de MRAM avec la sonde de SIMS

Le prochain exemple est le SIMS - fraisage réglé par IBE de percer un tunnel des multilayers (TMR) magnétiques magnétorésistants pour des applications de MRAM à l'Université de Twente, PAYS-BAS, sur l'outil de l'Ionfab300Plus d'OIPT. Cet outil a été également fourni avec un mandrin cryo-refroidi qui peut atteindre - 170 le º C en 14 mn de température ambiante.

Les paramètres de fraisage d'ion pour cette technique sont cotés ci-dessous :

  • Cornière de Substrat avec la poutre : 90º
  • Tension de Poutre (énergie) : 250V
  • Densité de courant de Poutre (intensité) : 0,51 mA/cm2

Le Schéma 3. traces de SIMS pour multicouche magnétique de MTJ : Merci (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Merci (5nm) /SiO2) (de 2mm/(substrat de SI)

Le procédé de fraisage hautement uniforme et lent, réglé par le multicouche permet au SIMS d'être employé pour s'arrêter avec précision à une remarque particulière dans le multicouche. De la note particulière sur le Schéma 3 est le signe très significatif et propre d'Al de la couche-barrière de MTJ dans la pile de MRAM. Les autres couches en métal sont de manière dégagée différenciées ; les crêtes de Technicien et de Manganèse n'ont pas été saisies dans ce passage.

Exemple 4 - Fabrication Flamboyante de râper

Le Schéma 4 expositions un autre exemple de l'utilisation de l'outil gravure à l'eau forte d'Ionfab d'OIPT dans la zone de photonics afin de fabriquer râper flamboyant. La cornière de flamme de `' peut être avec précision déterminée par le substrat positionnant la souplesse de l'outil.

Le Schéma 4. 300nm a flambé gravure à l'eau forte de râper en quartz

Conclusion

Le faisceau d'ions d'OIPT traitant des outils sont idéal pour un large éventail de marchés et d'applications, et cette dernière année a vu une demande sans précédent des abonnées pour leurs outils de faisceau d'ions.

Au Sujet de la Technologie de Plasma d'Instruments d'Oxford

La Technologie de Plasma d'Instruments d'Oxford fournit un domaine de haute performance, d'outils flexibles au semi-conducteur traitant des abonnées concernées dans la recherche et développement, et de production. Ils se spécialisent dans trois zones principales :

  • Gravure À L'eau Forte
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Faisceau D'ions
  • Dépôt
    • PECVD, CVD d'ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Accroissement
    • HVPE, Nanofab

Cette information a été originaire, révisée et adaptée des matériaux fournis par Technologie de Plasma d'Instruments d'Oxford.

Pour plus d'informations sur cette source, visitez s'il vous plaît la Technologie de Plasma d'Instruments d'Oxford.

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:40

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