Esempi Incisione del Raggio Ionico (IBE) dei Semiconduttori

Da AZoNano

Indice

Introduzione
Esempi delle Applicazioni dello Strumento di Ionfab300Plus IBE
Conclusione
Circa Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford


Introduzione

Gli strumenti di trattamento del raggio ionico di OIPT sono adatti per una vasta gamma di servizi e di applicazioni e questo anno prima ha veduto la domanda significativa dai clienti per i nostri strumenti del raggio ionico. Questi comprendono incissione all'acquaforte del Fascio Ionico (IBE), incissione all'acquaforte Reattiva del fascio ionico (RIBE) e le applicazioni del raggio ionico del deposito (CAIBE) Chimico-Assistito Incissione All'acquaforte come pure (IBD) del Raggio ionico.

Esempi delle Applicazioni dello Strumento di Ionfab300Plus IBE

Sotto sono alcuni esempi delle applicazioni per cui lo strumento di Ionfab300Plus IBE recentemente è stato approvvigionato. I primi due esempi sono Fresatura del Raggio Ionico (IBM facendo uso dell'Argon si intossica da solo) dei superconduttori ad alta temperatura per il Dipartimento della Microtecnologia e Nanoscience, l'Università Tecnologica di Chalmers, Svezia. Il video Secondario della sonda (SIMS) di Spettrometria di Massa dello Ione è utilizzato per controllo dei processi in questi esempi.

Esempio 1

Questo campione è i 5 x 5 millimetri quadra situato nel centro di un wafer dei portafili di Si di 150 millimetri. Il materiale del campione era Titanato dello Stronzio (SrTiO)3 ricoperto di pila del livello: Au (32nm) /YBaCuO237 (40nm).

I parametri di fresatura dello ione per questa tecnica sono elencati qui sotto:

  • Angolo del Substrato al raggio: 90º
  • Tensione del Raggio (energia): 250V
  • Densità di corrente del Raggio (intensità): 0,51 mA/cm2

malgrado il piccolo settore relativo trattato dal campione, Figura 1 indica che i segnali da tutti gli elementi presenti nei vari livelli possono essere differenziati chiaramente, eccezione fatta per Cu quale è perso nel disturbo. Anche gli isotopi Y e lo Sr con un numero di massa adiacente (89 e 88, rispettivamente) sono differenziati bene. Il livello dell'oro può essere veduto per essere inciso da parte a parte in primo luogo ha seguito dal livello237 di YBaCuO. Come questo livello è rimosso, i segnali del Ti e dello Sr dell'aumento materiale del substrato.

Figura 1. tracce di SIMS per il Campione 1

Esempio 2

Questo campione ha preso la forma di un quadrato di 10mm x di 10 situato nel centro di un wafer dei portafili di Si di 150 millimetri. Il campione ha compreso un a più strati: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm). I parametri di fresatura dello ione per questo trattamento sono elencati qui sotto:

  • Angolo del Substrato al raggio: 90º
  • Tensione del Raggio (energia): 500V
  • Densità di corrente del Raggio (intensità): 0,64 mA/cm2

Nella Figura 2, la transizione fra i livelli di AlGaAs e di GaAs può essere veduta chiaramente, in particolare dal segnale di GA. Come il segnale egualmente varia allo stesso modo fra i due livelli che mostrano gli importi diminuiti di questi due elementi nella lega di AlGaAs. Il segnale di Al mostra ad un livello di alto sfondo dovuto la presenza di alluminio nelle componenti della camera, ma la variazione da un livello alla latta seguente però è osservata chiaramente. Paragonando i tempi per ciascuno dei livelli, componenti bene alla differenza conosciuta di spessore (21nm) delle due leghe alternanti.

Figura 2. tracce di SIMS per il Campione 2

Esempio 3 - IBE dei multilayers di MRAM con la sonda di SIMS

L'esempio seguente è il SIMS - fresatura controllata da IBE di traforo dei multilayers (TMR) magnetici magnetoresistenti per le applicazioni di MRAM all'Università di Twente, NL, sullo strumento dello Ionfab300Plus di OIPT. Questo strumento egualmente è stato fornito con un mandrino cryo-raffreddato che può raggiungere - 170 º C in 14 minuti dalla temperatura ambiente.

I parametri di fresatura dello ione per questa tecnica sono elencati qui sotto:

  • Angolo del Substrato al raggio: 90º
  • Tensione del Raggio (energia): 250V
  • Densità di corrente del Raggio (intensità): 0,51 mA/cm2

Figura 3. tracce di SIMS per a più strati magnetico di MTJ: Tum (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Tum (5nm) /SiO2)/((di 2mm substrato di Si)

Il trattamento altamente costante e lento, controllato di fresatura con l'a più strati permette che il SIMS sia usato per fermarsi precisamente ad un punto specifico nell'a più strati. Della nota particolare nella la Figura 3 sono il segnale molto significativo e pulito di Al dallo strato di sbarramento di MTJ nella pila di MRAM. Gli altri livelli del metallo sono differenziati chiaramente; i picchi di Mn e del Tecnico Di Assistenza non si sono acquistati in questa esecuzione.

Esempio 4 - Montaggio Arso grattare

Figura 4 manifestazioni un altro esempio dell'utilizzazione dello strumento incissione all'acquaforte dello Ionfab di OIPT nell'area di fotonica per da costruzione grattare arso. L'angolo della fiammata del `' può essere determinato precisamente dal substrato che posiziona la flessibilità dello strumento.

La Figura 4. 300nm ha arso incissione all'acquaforte grattare in quarzo

Conclusione

Gli strumenti di trattamento del raggio ionico di OIPT sono ideali per una vasta gamma di servizi e di applicazioni e questo anno scorso ha veduto la domanda senza precedenti dai clienti per i loro strumenti del raggio ionico.

Circa Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford

La Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford fornisce un intervallo del rendimento elevato, degli strumenti flessibili ai clienti di trattamento a semiconduttore addetti a ricerca e sviluppo e della produzione. Si specializzano in tre aree principali:

  • Incissione All'acquaforte
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Raggio Ionico
  • Deposito
    • PECVD, CVD dell'ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Crescita
    • HVPE, Nanofab

Questi informazioni sono state originarie, esaminate ed adattate dai materiali forniti dalla Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford.

Per ulteriori informazioni su questa sorgente, visualizzi prego la Tecnologia del Plasma degli Strumenti di Oxford.

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:42

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit