Exemplos Gravura A Água-forte do Feixe de Íon (IBE) dos Semicondutores

Por AZoNano

Índice

Introdução
Exemplos das Aplicações da Ferramenta de Ionfab300Plus IBE
Conclusão
Sobre a Tecnologia do Plasma dos Instrumentos de Oxford


Introdução

O feixe de íon de OIPT que processa ferramentas é serido para uma vasta gama de mercados e de aplicações, e este ano anterior considerou a procura significativa dos clientes para nossas ferramentas do feixe de íon. Estes incluem gravura em àgua forte do Íon-Feixe (IBE), gravura em àgua forte Reactiva do íon-feixe (RIBE) e aplicações do depósito do feixe Químico-Ajudado (CAIBE) Gravura Em Àgua Forte, assim como de Íon do feixe (IBD) de íon.

Exemplos das Aplicações da Ferramenta de Ionfab300Plus IBE

Estão Abaixo alguns exemplos das aplicações para que a ferramenta de Ionfab300Plus IBE tem sido comprada recentemente. Os primeiros dois exemplos são Feixe de Íon que Mmoem (IBM usando o gás do Argônio apenas) de supercondutores de alta temperatura para o Departamento da Microtecnologia e Nanoscience, Universidade Tecnológica de Chalmers, Suécia. A monitoração da ponta de prova da Espectrometria Em Massa (SIMS) de Íon Secundária é usada para controle de processos nestes exemplos.

Exemplo 1

Esta amostra é uns 5 x 5 milímetros esquadra localizado no centro de uma bolacha do portador do Si de 150 milímetros. O material da amostra era Titanate do Estrôncio (SrTiO)3 revestido com uma pilha da camada: Au (32nm) /YBaCuO237 (40nm).

Os parâmetros de trituração do íon para esta técnica estão listados abaixo:

  • Ângulo da Carcaça ao feixe: 90º
  • Tensão do Feixe (energia): 250V
  • Densidade actual do Feixe (intensidade): 0,51 mA/cm2

apesar da área relativa pequena coberta pela amostra, Figura 1 mostra que os sinais de todos os elementos actuais nas várias camadas podem claramente ser diferenciados, à exceção do Cu qual é perdido no ruído. Mesmo os isótopos Y e o Sénior com um número em massa adjacente (89 e 88, respectivamente) são diferenciados bem. A camada do ouro pode ser considerada para ser gravado completamente seguiu primeiramente pela camada237 de YBaCuO. Como esta camada é removida, os sinais do Sénior e do Si da elevação material da carcaça.

Figura 1. traços de SIMS para a Amostra 1

Exemplo 2

Esta amostra tomou o formulário de um quadrado de 10 x de 10mm situado no centro de uma bolacha do portador do Si de 150 milímetros. A amostra compreendeu um multilayer: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm). Os parâmetros de trituração do íon para este processo estão listados abaixo:

  • Ângulo da Carcaça ao feixe: 90º
  • Tensão do Feixe (energia): 500V
  • Densidade actual do Feixe (intensidade): 0,64 mA/cm2

Em Figura 2, a transição entre as camadas do GaAs e do AlGaAs pode claramente ser considerada, em particular do sinal de GA. Como o sinal igualmente varia da mesma forma entre as duas camadas que mostram as quantidades reduzidas destes dois elementos na liga de AlGaAs. O sinal do Al mostra a um nível de fundo alto devido a presença de alumínio em componentes da câmara, mas a variação de uma camada à lata seguinte ainda assim seja observada claramente. Comparando os tempos para cada um das camadas, correlações bem com a diferença conhecida na espessura (21nm) das duas ligas alternas.

Figura 2. traços de SIMS para a Amostra 2

Exemplo 3 - IBE de multilayers de MRAM com ponta de prova de SIMS

O exemplo seguinte é o SIMS - trituração controlada por IBE de escavar um túnel multilayers (TMR) magnéticos magneto-resistive para aplicações de MRAM na Universidade de Twente, NL, na ferramenta do Ionfab300Plus de OIPT. Esta ferramenta foi fornecida igualmente com um mandril cryo-de refrigeração que pudesse alcançar - 170 o º C em 14 minutos da temperatura ambiente.

Os parâmetros de trituração do íon para esta técnica estão listados abaixo:

  • Ângulo da Carcaça ao feixe: 90º
  • Tensão do Feixe (energia): 250V
  • Densidade actual do Feixe (intensidade): 0,51 mA/cm2

Figura 3. traços de SIMS para multilayer magnético de MTJ: Ta (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Ta (5nm) /SiO2) (de 2mm/(carcaça do Si)

O processo de trituração altamente uniforme e lento, controlado com o multilayer permite que o SIMS seja usado para parar precisamente em um ponto específico no multilayer. Da nota particular na Figura 3 são o sinal muito significativo e limpo do Al da camada de barreira de MTJ na pilha de MRAM. As outras camadas do metal são diferenciadas claramente; os picos do Fe e do Manganês não foram adquiridos nesta corrida.

Exemplo 4 - Fabricação Chamejada da raspagem

Figura 4 mostras um outro exemplo da aplicação da ferramenta gravura em àgua forte do Ionfab de OIPT na área do photonics a fim fabricar uma raspagem chamejada. O ângulo da chama do `' pode precisamente ser determinado pela carcaça que posiciona a flexibilidade da ferramenta.

A Figura 4. 300nm chamejou gravura em àgua forte da raspagem no quartzo

Conclusão

O feixe de íon de OIPT que processa ferramentas é ideal para uma vasta gama de mercados e de aplicações, e este ano passado considerou procura inaudita dos clientes para suas ferramentas do feixe de íon.

Sobre a Tecnologia do Plasma dos Instrumentos de Oxford

A Tecnologia do Plasma dos Instrumentos de Oxford fornece uma escala do elevado desempenho, de ferramentas flexíveis ao semicondutor que processa os clientes envolvidos na investigação e desenvolvimento, e de produção. Especializam-se em três áreas principais:

  • Gravura Em Àgua Forte
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Feixe de Íon
  • Depósito
    • PECVD, CVD do ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Crescimento
    • HVPE, Nanofab

Esta informação foi originária, revista e adaptada dos materiais fornecidos pela Tecnologia do Plasma dos Instrumentos de Oxford.

Para obter mais informações sobre desta fonte, visite por favor a Tecnologia do Plasma dos Instrumentos de Oxford.

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:45

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit