Примеры Вытравливания Луча Иона Полупроводников

AZoNano

Содержание

Введение
Примеры Применений Инструмента Ionfab300Plus IBE
Заключение
О Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда


Введение

Луч иона OIPT обрабатывая инструменты одет для широкого диапазона рынков и применений, и этот предыдущий год увидел значительно требование от клиентов для наших инструментов луча иона. Эти включают etch Ионного Луча (IBE), Реактивный etch ионного луча (RIBE) и применения низложения Химическ-Помогать луча (CAIBE) Etch, так же, как Иона луча (IBD) иона.

Примеры Применений Инструмента Ionfab300Plus IBE

Ниже некоторые примеры применений для которых инструмент Ionfab300Plus IBE недавно был закуплен. Первые 2 примера Луч Иона Филируя (IBM используя газ Аргона самостоятельно) высокотемпературных superconductors для Отдела Microtechnology и Nanoscience, Технологический Университет Chalmers, Швеци. Контроль зонда Вторичного Спектрометрирования (SIMS) Иона Массового использован для управления производственным процессом в этих примерах.

Пример 1

Этот образец 5 x 5 mm придает квадратную форму размещено в центре вафли несущей 150 mm Si. Материал образца был Титанатом Стронция (SrTiO)3 покрынным с стогом слоя: Au (32nm) /YBaCuO237 (40nm).

Параметры иона филируя для этого метода перечислены ниже:

  • Угол Субстрата к лучу: 90º
  • Напряжение тока Луча (энергия): 250V
  • Плотность потока в пучке (интенсивность): 0,51 mA/cm2

несмотря на малую относительную область покрытую образцом, на Диаграмму 1 показано что сигналы от всех элементов присутствующих в различных слоях можно ясно продифференцировать, за исключением Cu что потеряно в шуме. Даже изотопы Y и Старший с смежным массовым номером (89 и 88, соответственно) продифференцированы хорошо. Слой золота можно увидеть, что был вытравлен до конца сперва следовать слоем237 YBaCuO. По Мере Того Как этот слой извлекается, сигналы Старшего и Ti подъема субстрата материального.

Диаграмма 1. следы SIMS на Образец 1

Пример 2

Этот образец принял форму квадрата 10 x 10mm расположенного в центре вафли несущей 150 mm Si. Образец состоял из разнослоистого: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm). Параметры иона филируя для этого процесса перечислены ниже:

  • Угол Субстрата к лучу: 90º
  • Напряжение тока Луча (энергия): 500V
  • Плотность потока в пучке (интенсивность): 0,64 mA/cm2

В Диаграмме 2, переход между слоями GaAs и AlGaAs можно ясно увидеть, в частности от сигнала Ga. По Мере Того Как сигнал также меняет в таком же образе между 2 слоями показывая уменьшенное количество этих 2 элементов в сплаве AlGaAs. Сигнал Al показывает уровню высокой предпосылки должному присутсвие алюминия в компонентах камеры, но изменение от одного слоя к следующей чонсервной банке все же ясно наблюдалось. Сравнивающ времена для каждого из слоев, коррелаты хорошо с известной разницей в толщине (21nm) 2 чередуя сплавов.

Диаграмма 2. следы SIMS на Образец 2

Пример 3 - IBE multilayers MRAM с зондом SIMS

Следующий пример SIMS - контролируемый филировать IBE прокладывать тоннель магниторезистивные (TMR) магнитные multilayers для применений MRAM на Университете Twente, NL, на инструменте Ionfab300Plus OIPT. Этот инструмент также был поставлен с cryo-охлаженным цыпленком который может достигнуть - 170 º C в 14 минутах от комнатной температуры.

Параметры иона филируя для этого метода перечислены ниже:

  • Угол Субстрата к лучу: 90º
  • Напряжение тока Луча (энергия): 250V
  • Плотность потока в пучке (интенсивность): 0,51 mA/cm2

Диаграмма 3. следы SIMS для разнослоистого MTJ магнитное: Ta (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Ta (5nm) /SiO2) (2mm/(субстрат Si)

Сильно равномерный и медленный, контролируемый филируя процесс через разнослоистое позволяет SIMS быть использованным точно для того чтобы остановить на специфический этап в разнослоистом. определенного примечания в Диаграмме 3 очень значительно и чистый сигнал Al от вентильного слоя MTJ в стоге MRAM. Другие слои металла ясно продифференцированы; пики Fe и Mn не были приобретены в этом беге.

Пример 4 - Запыланное изготовление скрежетать

Диаграмма 4 выставки другой пример применения инструмента etch Ionfab OIPT в зоне photonics изготовить запыланный скрежетать. Угол блеска `' может точно быть определен субстратом располагая гибкость инструмента.

Диаграмма 4. 300nm запылала etch скрежетать в кварце

Заключение

Луч иона OIPT обрабатывая инструменты идеально для широкого диапазона рынков и применений, и этот прошлый год увидел беспрецедентное требование от клиентов для их инструментов луча иона.

О Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда

Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда снабубежит ряд высокой эффективности, гибких инструментов полупроводник обрабатывая клиентов, котор включили в научные исследования и разработки, и продукции. Они специализируют в 3 главных областях:

  • Etch
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE, Луч Иона
  • Низложение
    • PECVD, CVD ICP, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • Рост
    • HVPE, Nanofab

Эта информация найденный, расмотрена и приспособлена от материалов обеспеченных Технологией Плазмы Аппаратур Оксфорда.

Для больше информации на этом источнике, пожалуйста посетите Технологию Плазмы Аппаратур Оксфорда.

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:45

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit