半导体离子束蚀刻的示例 (IBE)

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简介
Ionfab300Plus IBE 工具的应用的示例
结论
关于牛津仪器等离子技术


简介

OIPT 的处理工具的离子束适用与各种各样的市场和应用,并且此上一年度为我们的离子束工具看到了从客户的重大的需求。 这些包括离子束铭刻 (IBE)、易反应的离子束铭刻 (RIBE)和化工协助解决的离子束铭刻 (CAIBE),以及离子束证言 (IBD)应用。

Ionfab300Plus IBE 工具的应用的示例

下面 Ionfab300Plus IBE 工具最近被采购了应用的有些示例。 前二个示例是离子束碾碎 (使用单独氩气体的 IBM) 微型工艺学的部门的高温超导体的和 Nanoscience, Chalmers 科技大学,瑞典。 二次离子质谱术 (SIMS)探测监控为程序控制使用在这些示例。

示例 1

此范例是一 5 x 5 mm 摆正位于一个 150 mm Si 承运人薄酥饼的中心。 范例材料是用 (SrTiO)3层栈涂的锶钛酸盐: 澳大利亚 (32nm) /YBaCuO237 (40nm)。

此技术的离子碾碎的参数如下是列出的:

  • 对射线的基体角度: 90º
  • 射线电压 (能源) : 250V
  • 射线电流密度 (强度) : 0.51 mA/cm2

竟管这个范例包括的小的相对面积,图 1 向显示从所有要素的信号当前在多种层可以明显地被区分,除了古芝哪些在噪声丢失。 与相邻多数的同位素 Y 和 Sr (89 和 88,分别) 很好被区分。 金子层能被看到通过被铭刻被 YBaCuO 层首先237 按照。 去除此层,基体物质上升的 Sr 和钛信号。

图 1. 范例的 1 SIMS 跟踪

示例 2

此范例采取了位于一个 150 mm Si 承运人薄酥饼的中心的 10 x 10mm 正方形的表单。 这个范例包括一多层: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm)。 此进程的离子碾碎的参数如下是列出的:

  • 对射线的基体角度: 90º
  • 射线电压 (能源) : 500V
  • 射线电流密度 (强度) : 0.64 mA/cm2

在表 2,在 GaAs 和 AlGaAs 层之间的转移能明显地被看到,特别是从 Ga 信号。 信号相似也变化在显示减少的相当数量这两个要素的二块层之间在 AlGaAs 合金。 Al 信号在房间要素显示由于一个强背景的级别铝出现,仍然,但是从一块层的差异到下个罐头明显地被观察。 很好其中每一块的时代层,相互关系与在厚度 (21nm) 上的已知的区别比较二交替的合金。

图 2. 范例的 2 SIMS 跟踪

示例 3 - MRAM multilayers IBE 与 SIMS 探测的

下一个示例是 SIMS - 受控碾碎由挖洞 MRAM 应用的 (TMR)磁阻的磁性 multilayers IBE 在 Twente, NL 大学, OIPT 的 Ionfab300Plus 工具的。 此工具在 14 分钟之内也供应了以可能到达的 cryo 冷却的牛颈肉 - 170 º C 从室温。

此技术的离子碾碎的参数如下是列出的:

  • 对射线的基体角度: 90º
  • 射线电压 (能源) : 250V
  • 射线电流密度 (强度) : 0.51 mA/cm2

图 3. MTJ 磁性多层的 SIMS 跟踪: Ta (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Ta (5nm) /SiO2 (2mm)/(Si 基体)

高度统一和缓慢,受控碾碎的进程通过多层允许 SIMS 用于精密地终止在多层的一个特殊观点。 特殊附注在表 3 是从 MTJ 的非常重大和干净的 Al 信号障碍层在 MRAM 栈。 其他金属层明显地被区分; Fe 和 Mn 峰顶在此运行未获取。

示例 4 - 燃烧的磨碎制造

图 4 显示 OIPT 的 Ionfab 铭刻工具的应用的另一个示例在 photonics 区为了制造一燃烧的磨碎。 ` 火焰角度’可以精密地取决于确定工具的灵活性的这个基体。

图 4. 300nm 燃烧了在石英的磨碎铭刻

结论

OIPT 的处理工具的离子束对各种各样的市场和应用是理想的和为他们的离子束工具过去一年看到了从客户的史无前例的需求。

关于牛津仪器等离子技术

牛津仪器等离子技术提供高性能、灵活的工具给处理客户的半导体介入研究与开发和生产的范围。 他们专门化三个主要地区:

  • 铭刻
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE,离子束
  • 证言
    • PECVD, ICP CVD, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • 增长
    • HVPE, Nanofab

此信息是来源,复核和适应从牛津仪器等离子技术提供的材料。

关于此来源的更多信息,请参观牛津仪器等离子技术。

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:38

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