半導體離子束蝕刻的示例 (IBE)

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簡介
Ionfab300Plus IBE 工具的應用的示例
結論
關於牛津儀器等離子技術


簡介

OIPT 的處理工具的離子束適用與各種各樣的市場和應用,并且此上一年度為我們的離子束工具看到了從客戶的重大的需求。 這些包括離子束銘刻 (IBE)、易反應的離子束銘刻 (RIBE)和化工協助解決的離子束銘刻 (CAIBE),以及離子束證言 (IBD)應用。

Ionfab300Plus IBE 工具的應用的示例

下面 Ionfab300Plus IBE 工具最近被採購了應用的有些示例。 前二個示例是離子束碾碎 (使用單獨氬氣體的 IBM) 微型工藝學的部門的高溫超導體的和 Nanoscience, Chalmers 科技大學,瑞典。 二次離子質譜術 (SIMS)探測監控為程序控制使用在這些示例。

示例 1

此範例是一 5 x 5 mm 擺正位於一個 150 mm Si 承運人薄酥餅的中心。 範例材料是用 (SrTiO)3層棧塗的鍶鈦酸鹽: 澳大利亞 (32nm) /YBaCuO237 (40nm)。

此技術的離子碾碎的參數如下是列出的:

  • 對射線的基體角度: 90º
  • 射線電壓 (能源) : 250V
  • 射線電流密度 (強度) : 0.51 mA/cm2

竟管這個範例包括的小的相對面積,圖 1 向顯示從所有要素的信號當前在多種層可以明顯地被區分,除了古芝哪些在噪聲丟失。 與相鄰多數的同位素 Y 和 Sr (89 和 88,分別) 很好被區分。 金子層能被看到通過被銘刻被 YBaCuO 層首先237 按照。 去除此層,基體物質上升的 Sr 和鈦信號。

圖 1. 範例的 1 SIMS 跟蹤

示例 2

此範例採取了位於一個 150 mm Si 承運人薄酥餅的中心的 10 x 10mm 正方形的表單。 這個範例包括一多層: GaAs (40nm)/AlGaAs (61nm)。 此進程的離子碾碎的參數如下是列出的:

  • 對射線的基體角度: 90º
  • 射線電壓 (能源) : 500V
  • 射線電流密度 (強度) : 0.64 mA/cm2

在表 2,在 GaAs 和 AlGaAs 層之間的轉移能明顯地被看到,特別是從 Ga 信號。 信號相似也變化在顯示減少的相當數量這兩個要素的二塊層之間在 AlGaAs 合金。 Al 信號在房間要素顯示由於一個強背景的級別鋁出現,仍然,但是從一塊層的差異到下個罐頭明顯地被觀察。 很好其中每一塊的時代層,相互關係與在厚度 (21nm) 上的已知的區別比較二交替的合金。

圖 2. 範例的 2 SIMS 跟蹤

示例 3 - MRAM multilayers IBE 與 SIMS 探測的

下一個示例是 SIMS - 受控碾碎由挖洞 MRAM 應用的 (TMR)磁阻的磁性 multilayers IBE 在 Twente, NL 大學, OIPT 的 Ionfab300Plus 工具的。 此工具在 14 分鐘之內也供應了以可能到達的 cryo 冷卻的牛頸肉 - 170 º C 從室溫。

此技術的離子碾碎的參數如下是列出的:

  • 對射線的基體角度: 90º
  • 射線電壓 (能源) : 250V
  • 射線電流密度 (強度) : 0.51 mA/cm2

圖 3. MTJ 磁性多層的 SIMS 跟蹤: Ta (5nm) /Co (15nm)/Al2Ox (2.3nm)/Co (3.5nm)/FeMn (10nm) /Co (5nm)/Ta (5nm) /SiO2 (2mm)/(Si 基體)

高度統一和緩慢,受控碾碎的進程通過多層允許 SIMS 用於精密地終止在多層的一個特殊觀點。 特殊附註在表 3 是從 MTJ 的非常重大和乾淨的 Al 信號障礙層在 MRAM 棧。 其他金屬層明顯地被區分; Fe 和 Mn 峰頂在此運行未獲取。

示例 4 - 燃燒的磨碎製造

圖 4 顯示 OIPT 的 Ionfab 銘刻工具的應用的另一個示例在 photonics 區為了製造一燃燒的磨碎。 ` 火焰角度』可以精密地取決於確定工具的靈活性的這個基體。

圖 4. 300nm 燃燒了在石英的磨碎銘刻

結論

OIPT 的處理工具的離子束對各種各樣的市場和應用是理想的和為他們的離子束工具過去一年看到了從客戶的史無前例的需求。

關於牛津儀器等離子技術

牛津儀器等離子技術提供高性能、靈活的工具給處理客戶的半導體介入研究與開發和生產的範圍。 他們專門化三個主要地區:

  • 銘刻
    • RIE, ICP, DRIE, RIE/PE,離子束
  • 證言
    • PECVD, ICP CVD, Nanofab, ALD, PVD, IBD
  • 增長
    • HVPE, Nanofab

此信息是來源,覆核和適應從牛津儀器等離子技術提供的材料。

關於此來源的更多信息,请請參觀牛津儀器等離子技術。

Date Added: Nov 18, 2011 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 05:39

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