放出させた中立質量分析を使用して薄い磁気フィルムの分析 (SNMS)

AZoNano 著

目録

導入

放出させた中立質量分析は構成、厚さおよびインターフェイス状態が断固としたの場合もある薄い金属のフィルムを分析するために完全です。、 Cr ここに示される、例 NI から成り立つ、磁気フィルムスタックショー Cu および Fe。データ記憶の異った方法の、磁気ハードディスクはまだ高密度ラピッド・アクセスのための非常に経済的な平均を提供します。ますますコンパクトな読書きヘッドおよびもっと密接に間隔をあけられたデータトラックの方の絶え間ない移動はこのデマンドが高いアプリケーションのための磁気材料そして構造のかなりの開発の原因となることを持っています。磁気データ記憶で使用される金属層状構造の分析は二次イオン質量分析法の開発および品質管理およびそれぞれマイナーで、 (SIMS)主要な要素の構成の放出させた (SNMS)中立質量分析提供情報両方のために重要です。

SIMS および SNMS

SIMS および SNMS は両方調査の下で普通 1-10 keV の放出させるべき集中された、モノラル精力的で、化学的に純粋なイオンビームを腐食させます表面を使用します。わずか放出させた材料は放出させるプロセス自体がイオン化された原因で得、 SIMS に、技術が知られている機密情報を提供するのはこれらのイオンです。質量分析の技術、すべての要素および同位体検出されるかもしれであることは好ましい条件に検出限界は低い ppb 領域にある場合もあります。ただし、 SIMS のためのイオン化メカニズムはサンプル表面で起こるので、ローカル化学に非常に依存して、イオン化された一部分は複数の一桁によって変わることができます。これは知られていたマトリックスの材料のトレース分析のための SIMS の理想を作ります変更のマトリックスの材料の定量化は複雑である場合もあります。 SNMS は放出させるおよびイオン化イベントの分離によって「マトリックス効果」を克服します。

高いイオンで状態にイオンの一部分をもたらすことはまれに放出させた材料の 1% を超過しません、従って中立変化はサンプル構成のより代表的です。 SNMS のためのイオン化は検光子の前部で電子衝突のセルで起こります、従ってイオン化確率が定数で、サンプル化学に左右されないことを意味します。参考資料が可能として未知数に同様に類似して、同じマトリックス材料確かにであるなること SIMS の量を示すことは重要です。 SNMS のために、参考資料のこのマトリックマッチングは従って口径測定の要因がマトリックスと変更しないので不必要、必須の感度の要因出版された構成の容易に使用できる金属そして陶磁器のサンプルから断固としたである場合もありますです。

更に、 SNMS はしかし、料金の補償が一貫した一次ビーム状態を維持してまだ勧められる中立種が満たすサンプルによって変化しないので、絶縁体の分析にとって理想的です。

イオン化された二次粒子は質量分析計で調査され、検出されます。非常に低いイオンビームの流れの分析で上に表面汚染の検出のために優秀な少数の単一層制限されます。イオンビームの線量が増加されておよび放出させることがより積極的になるので、続いてより深い層は深さの機能が識別することができると同時に集中露出され。集中されたイオンビームを使用して、 SIMS および SNMS は両方空間的に解決しているようになり、元素画像は記録することができます。