Анализ Тонких Магнитных Фильмов Используя Sputtered Нейтральное Массовое Спектрометрирование (SNMS)

AZoNano

Содержание

Введение
SIMS и SNMS
Заключение
О Hiden Аналитически

Введение

Sputtered Нейтральное Массовое Спектрометрирование совершенно для анализировать тонкие фильмы металла где условие состава, толщины и интерфейса может быть решительно. Пример представленный здесь, выставки стог магнитного фильма состоя из Cr, Ni, Cu и Fe. различных способов хранения данных, магнитные жесткие диски все еще предлагают сильно хозяйственные середины для high-density быстрого доступа. Постоянно приближать к больше и больше прочитанный компакт/пишет головки и более близко расположенный следы данных имеют вести к значительному развитию магнитных материалов и структур для этого требовательного применения. Анализ металлических структур слоя используемых в хранении магнитных данных существен как для развития и управления качеством с вторичным спектрометрированием иона массовым (SIMS), так и для sputtered нейтральных данных по массового (SNMS) спектрометрирования предлагая на небольшом и главном составе элемента соответственно.

SIMS и SNMS

И SIMS и SNMS используют сконцентрированный, mono напористый, химически чистый луч иона keV типично 1-10, котор нужно sputter выветриваются поверхность под изучением. Малая часть sputtered материала получает ионизированное должное к процессу самому sputtering и в SIMS, это эти ионы которые предлагают конфиденциальную информацию для которой метод знан. Быть методом массового спектрометрирования, всеми элементами и изотопами может быть обнаружен, и в благоприятных условиях предел обнаружения может находиться в низкой зоне ppb. Однако, потому что механизм ионизацией для SIMS осуществляет на поверхности образца, он зависел очень много на местной химии и ионизированная часть может поменять несколькими порядков величины. Это делает идеал SIMS для анализа следа в материалах известной матрицы но квантификация в материалах изменяя матрицы может осложнить. SNMS отжимает «влияние матрицы» путем отделять случаи sputtering и ионизацией.

Даже в высоком ионе производить ситуациям часть ионов редко превышает 1% из sputtered материала, поэтому нейтральный поток более репрезентивн состава образца. Ионизация для SNMS осуществляет в клетке бомбардировки электронами на фронте анализатора, поэтому она значит что вероятность ионизацией константа и не зависит на химии образца. Квантифицировать SIMS важно что опорный материал как подобен к неисвестню как возможное и должен определенно быть такого же материала матрицы. Для SNMS, этот соответствовать матрицы опорных материалов ненужен, по мере того как факторы тарировки не изменяют с матрицей поэтому, необходимые факторы чувствительности может быть решительно от легко доступного металла и керамических образцов опубликованного состава.

Более Потом, SNMS идеально для анализа изоляторов, по мере того как нейтральные виды без изменений образцом поручая, однако, компенсация обязанности все еще целесообразна для поддержания последовательных основных условий луча.

Ионизированные вторичные частицы изучены и обнаружены в массовом спектрометре. На очень низком анализе токов пучка лучей иона ограничивает к верхнему немногие монослои, превосходные для обнаружения загрязнения поверхности. По Мере Того Как доза луча иона увеличена и sputtering будет более агрессивныйым, затем более глубокие слои подвергаются действию и концентрация по мере того как функцию глубины можно определить. Используя сфокусированный луч иона, и SIMS и SNMS будут пространственно разрешающ и изначальные изображения можно записать.

Заключения

Анализ показанный здесь был сделан используя рабочее место Hiden SIMS, полную и сильно гибкую аппаратуру квадруполя SIMS/SNMS оборудованные с пушкой иона газа IG20 и анализатором СЕНТЕНЦИИ SIMS/SNMS.

О Hiden Аналитически

Hiden Аналитически ведущее изготовление квадрупольных массовых спектрометров и для исследования и для експлуатационной инженерии. Их продукты Наши продукты адресуют разнообразный диапозон применения включая:

  • Анализ газа Точности
  • Диагностики Плазмы сразу измерением энергий ионов и иона плазмы
  • Зонды SIMS для науки поверхности UHV
  • Квантификация представления Катализирования
  • Термогравиметрические изучения

Эти аналитически аппаратуры конструированы для работы над рядом давления удлиняя от процессов 30 адвокатских сословий вниз к UHV/XHV.

Эта информация найденный, расмотрена и приспособлена от материалов обеспеченных Hiden Аналитически.

Для больше информации на этом источнике, пожалуйста посетите Hiden Аналитически.

Date Added: Jan 21, 2012 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 09:48

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit