对使用被飞溅的中立质谱分析的稀薄的涂磁胶片的分析 (SNMS)

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简介
SIMS 和 SNMS
结论
关于分析的 Hiden

简介

被飞溅的中立质谱分析对分析构成、厚度和界面情况可以是确定的稀薄的金属影片是理想的。 示例存在的这里,显示每包括哥斯达黎加的磁性薄膜栈, Ni、古芝和 Fe。 数据存储不同的方法,磁性光盘仍然提供高度高密度快速存取的经济平均值。 连续的移动朝越来越紧凑读写头和更加接近留间隔的数据磁道有导致磁性材料和结构的严重的发展此过分要求的应用的。 用于磁性数据存储的对金属层型结构的分析分别为对发展和质量管理与二次离子质谱术 (SIMS)被飞溅的中立质谱分析 (SNMS)提供的信息至关重要关于较小和专业要素构成。

SIMS 和 SNMS

SIMSSNMS 使用典型地 1-10 keV 集中的,单音精力充沛,化工纯离子束飞溅腐蚀表面在研究下。 一小部分被飞溅的材料获得被电离的由于飞溅进程,并且在 SIMS,它是提供高度机密信息这个技术知道的这些离子。 可能检测是一个质谱分析技术、所有要素和同位素,并且在有利情况检测极限可以在低 ppb 区域。 然而,因为 SIMS 的电离结构进行在范例表面,它依靠非常局部化学,并且这个被电离的分数可能由几个数量级变化。 这做痕量分析的 SIMS 理想在已知的矩阵材料,但是在更改的矩阵材料的量化可以是复杂的。 SNMS 通过分隔飞溅和电离活动解决 “矩阵作用”。

在高离子产生情形离子的分数很少超出 1% 被飞溅的材料,因此中立涨潮是有代表性范例构成。 SNMS 的电离在电子炮击细胞进行在这个分析程序的前线,因此意味着电离概率是常数,并且不取决于范例化学。 要定量 SIMS 是重要的参考资料一样类似于未知作为可能,并且必须一定是同一份基体材料。 对于 SNMS,此矩阵匹配参考资料是多余的,因为因此定标系数不更改与矩阵,必需的区分系数可以是确定的从容易地可用的金属和发布构成陶瓷范例。

进一步, SNMS 对对装绝缘体工的分析是理想的,因为中立种类由充电的范例是未受影响的,然而,充电报酬是可行为了维护一致的主要射线情况。

被电离的附属微粒在质谱仪被学习并且被检测。 在非常低离子束当前分析被限制对顶部少量单层,非常好为表面污染的检测。 因为离子束剂量是被增加,并且飞溅变得更加积极,更加深刻的层随后显示和浓度,当深度的功能可以被识别。 使用集中的离子束, SIMS 和 SNMS 变空间解决,并且基本图象可以被记录。

结论

显示的这个分析这里做使用 Hiden SIMS 工作区,用 IG20 气体离子枪和格言 SIMS/SNMS 分析程序装备的一台完全和高度灵活的四极 SIMS/SNMS 仪器。

关于分析的 Hiden

分析的 Hiden 是四极的质谱仪一个主导的制造商研究的和程序工程的。 他们的产品我们的产品解决各种各样的应用包括:

  • 精确度气体分析
  • 由等离子离子和离子能源的直接测量的等离子体诊断
  • UHV 表面科学的 SIMS 探测
  • 催化性能量化
  • 热重分析法的研究

这些分析仪器被设计运转在延长从 30 个棒进程的压范围下来对 UHV/XHV。

此信息是来源,复核和适应从 Hiden 提供的材料分析。

关于此来源的更多信息,请参观分析的 Hiden。

Date Added: Jan 21, 2012 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 09:07

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