對使用被飛濺的中立質譜分析的稀薄的塗磁膠片的分析 (SNMS)

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簡介
SIMS 和 SNMS
結論
關於分析的 Hiden

簡介

被飛濺的中立質譜分析對分析構成、厚度和界面情況可以是確定的稀薄的金屬影片是理想的。 示例存在的這裡,顯示每包括哥斯達黎加的磁性薄膜棧, Ni、古芝和 Fe。 數據存儲不同的方法,磁性光盤仍然提供高度高密度快速存取的經濟平均值。 連續的移動朝越來越緊湊讀寫頭和更加接近留間隔的數據磁道有導致磁性材料和結構的嚴重的發展此過分要求的應用的。 用於磁性數據存儲的對金屬層型結構的分析分別為對發展和質量管理與二次離子質譜術 (SIMS)被飛濺的中立質譜分析 (SNMS)提供的信息至關重要關於較小和專業要素構成。

SIMS 和 SNMS

SIMSSNMS 使用典型地 1-10 keV 集中的,單音精力充沛,化工純離子束飛濺腐蝕表面在研究下。 一小部分被飛濺的材料獲得被電離的由於飛濺進程,并且在 SIMS,它是提供高度機密信息這個技術知道的這些離子。 可能檢測是一個質譜分析技術、所有要素和同位素,并且在有利情況檢測極限可以在低 ppb 區域。 然而,因為 SIMS 的電離結構進行在範例表面,它依靠非常局部化學,并且這個被電離的分數可能由幾個數量級變化。 這做痕量分析的 SIMS 理想在已知的矩陣材料,但是在更改的矩陣材料的量化可以是複雜的。 SNMS 通過分隔飛濺和電離活動解決 「矩陣作用」。

在高離子產生情形離子的分數很少超出 1% 被飛濺的材料,因此中立漲潮是有代表性範例構成。 SNMS 的電離在電子砲擊細胞進行在這個分析程序的前線,因此意味著電離概率是常數,并且不取決於範例化學。 要定量 SIMS 是重要的參考資料一樣類似於未知作為可能,并且必須一定是同一份基體材料。 對於 SNMS,此矩陣匹配參考資料是多餘的,因為因此定標系數不更改與矩陣,必需的區分系數可以是確定的從容易地可用的金屬和發布構成陶瓷範例。

進一步, SNMS 對對裝绝緣體工的分析是理想的,因為中立種類由充電的範例是未受影響的,然而,充電報酬是可行為了維護一致的主要射線情況。

被電離的附屬微粒在質譜儀被學習并且被檢測。 在非常低離子束當前分析被限制對頂部少量單層,非常好為表面汙染的檢測。 因為離子束劑量是被增加,并且飛濺變得更加積極,更加深刻的層隨後顯示和濃度,當深度的功能可以被識別。 使用集中的離子束, SIMS 和 SNMS 變空間解決,并且基本圖像可以被記錄。

結論

顯示的這個分析這裡做使用 Hiden SIMS 工作區,用 IG20 氣體離子槍和格言 SIMS/SNMS 分析程序裝備的一臺完全和高度靈活的四極 SIMS/SNMS 儀器。

關於分析的 Hiden

分析的 Hiden 是四極的質譜儀一個主導的製造商研究的和程序工程的。 他們的產品我們的產品解決各種各樣的應用包括:

  • 精確度氣體分析
  • 由等離子離子和離子能源的直接測量的等離子體診斷
  • UHV 表面科學的 SIMS 探測
  • 催化性能量化
  • 熱重分析法的研究

這些分析儀器被設計運轉在延長從 30 個棒進程的壓範圍下來對 UHV/XHV。

此信息是來源,覆核和適應從 Hiden 提供的材料分析。

關於此來源的更多信息,请請參觀分析的 Hiden。

Date Added: Jan 21, 2012 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 09:10

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