Dow 揭幕与更小的毛孔范围 - 新技术的先进的丝绸树脂

Dow Chemical 公司介绍与一个显著减少的毛孔范围的先进的多孔丝绸半导体电介质树脂,启用 65 nm (PVD) 半导体技术的以远持续实际蒸气存款钽障碍和。

多孔丝绸 Y 树脂,当前被抽样锁上客户和发展合作伙伴,以 <2 nm 和毛孔大小分布范围为特色一条平均毛孔直径的 1 - 对 3 nm - 所有商业可用的夹层电介质 (ILD) 材料的最小的闭合毛孔范围。 多孔丝绸 Y 树脂也提供一个优化热膨胀系数 (CTE) 配置文件提高设备可靠性和缓和整体物质综合化。

“集成多孔电介质材料是这个行业的一个巨大的挑战”,全球企业主任说标记 McClear, Dow 提前的电子材料商业的 (AEM)。 “此飞跃今后在材料技术启用持续钽障碍,不用额外的处理步骤例如等离子处理或 ` 毛孔海豹捕猎’。 另外,我们的数据显示多孔丝绸 Y 树脂电属性和障碍性能从充分地密集的低的 k 材料是难区分的”。

障碍完整性为低的 k 电介质的成功的综合化和可靠性是重要的。持续障碍防止铜迁移,导致电子细分和过早的设备故障。 障碍被证明是所有多孔 ILDs 的一个挑战,由于大 (所谓的 “凶手 ") 毛孔和开放细胞毛孔形态学。

多孔丝绸 Y 树脂合并与均匀地被分配的毛孔的一个闭合毛孔结构,产生一个超低 k 值 (k=2.2),当维护机械时韧性和兼容性与常规后面结束线路 (BEOL)单元操作,特别是化工机械 planarization (CMP)。 多孔材料也展示地面粗糙度可比较与非多孔材料,启用有效定时铭刻综合化模式扩展名。

多孔丝绸 Y 树脂闭合毛孔形态学,可以显著减少钽障碍的薄层电阻。 在多孔丝绸存款的障碍 Y 出现了对 90% 改善在薄层电阻和电子性能与所有以前报告的多孔电介质比较。 “多孔丝绸 Y 树脂启用持续障碍覆盖范围并且产生该电子的性能非多孔 ILD 材料”的符合 McClear 说。

多孔丝绸 Y 树脂的 nanoscale 毛孔范围和毛孔大小分布评定了与在薄酥饼小角度 X-射线分散 (SAXS) 和透射电镜术 (TEM)图象分析。 另外,密执安大学研究员通过正子歼灭寿命分光学独立地确认了这些发现 (PALS)。

更加进一步扩大热扩散优化设计与丝绸 D 树脂,多孔丝绸 Y 树脂以一个显著改进的 CTE 配置文件为特色。 多孔丝绸 Y 树脂高温热扩散工作情况低于那超过 50% 甚而丝绸 D 树脂和超过 150% 被改进相对丝绸树脂和其他有机电介质材料的初期版本。

以前,热扩散形成了在有机 ILD 材料的综合化的一个可靠性挑战,在热循环,包括金属互连故障期间, ILD 和这个障碍之间的重大的配错存款在它可能导致复杂化和可靠性关心,根据使用的设计规律。

由于他们在聚合物矩阵基础上,所有丝绸和多孔丝绸影片展示非常好的铭刻、清洁、抗潮湿能力、韧性和 CMP 兼容性与现有的集成电路制造工具。

“在毛孔范围的此严重的低估和 CTE 性能未牺牲其他有形资产来。 作为 SiLKnet 联盟数据网的 26 个合作伙伴展示了,多孔丝绸影片不遭受通过毒化,清洁化学污秽或崩裂在 CMP 下机械重点和包装”, McClear 说。 “在我们的知识和经验的多孔丝绸 Y 树脂编译与早先丝绸树脂和维护所有这些非常好的属性”。

丝绸树脂是系列空转在,允许半导体制造商增加筹码速度和性能的低的 k ILD 材料。 第一代丝绸树脂产品提供处理铜波状花纹和铝/的钨的,超过 35% 的 k 值减少 k=2.6 与常规化学气相沉积 (CVD)氧化物电介质影片。 Dow 为与多孔丝绸树脂的下一代筹码技术提供一个清楚,可伸长的路径。

张贴 2003年th 12月 15日

Date Added: Jan 7, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 07:59

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