Dow 揭幕與更小的毛孔範圍 - 新技術的先進的絲綢樹脂

Dow Chemical 公司介紹與一個顯著減少的毛孔範圍的先進的多孔絲綢半導體電介質樹脂,啟用 65 nm (PVD) 半導體技術的以遠持續實際蒸氣存款鉭障礙和。

多孔絲綢 Y 樹脂,當前被抽樣鎖上客戶和發展合作夥伴,以 <2 nm 和毛孔大小分佈範圍為特色一條平均毛孔直徑的 1 - 對 3 nm - 所有商業可用的夾層電介質 (ILD) 材料的最小的閉合毛孔範圍。 多孔絲綢 Y 樹脂也提供一個優化熱膨脹系數 (CTE) 配置文件提高設備可靠性和緩和整體物質綜合化。

「集成多孔電介質材料是這個行業的一個巨大的挑戰」,全球企業主任說標記 McClear, Dow 提前的電子材料商業的 (AEM)。 「此飛躍今後在材料技術啟用持續鉭障礙,不用額外的處理步驟例如等離子處理或 ` 毛孔海豹捕獵』。 另外,我們的數據顯示多孔絲綢 Y 樹脂電屬性和障礙性能從充分地密集的低的 k 材料是難區分的」。

障礙完整性為低的 k 電介質的成功的綜合化和可靠性是重要的。持續障礙防止銅遷移,導致電子細分和過早的設備故障。 障礙被證明是所有多孔 ILDs 的一個挑戰,由於大 (所謂的 「兇手 ") 毛孔和開放細胞毛孔形態學。

多孔絲綢 Y 樹脂合併與均勻地被分配的毛孔的一個閉合毛孔結構,產生一個超低 k 值 (k=2.2),當維護機械時韌性和兼容性與常規後面結束線路 (BEOL)單元操作,特別是化工機械 planarization (CMP)。 多孔材料也展示地面粗糙度可比較與非多孔材料,啟用有效定時銘刻綜合化模式擴展名。

多孔絲綢 Y 樹脂閉合毛孔形態學,可以顯著減少鉭障礙的薄層電阻。 在多孔絲綢存款的障礙 Y 出現了對 90% 改善在薄層電阻和電子性能與所有以前報告的多孔電介質比較。 「多孔絲綢 Y 樹脂啟用持續障礙覆蓋範圍并且產生該電子的性能非多孔 ILD 材料」的符合 McClear 說。

多孔絲綢 Y 樹脂的 nanoscale 毛孔範圍和毛孔大小分佈評定了與在薄酥餅小角度 X-射線分散 (SAXS) 和透射電鏡術 (TEM)圖像分析。 另外,密執安大學研究員通過正子殲滅壽命分光學獨立地確認了這些發現 (PALS)。

更加進一步擴大熱擴散優化設計與絲綢 D 樹脂,多孔絲綢 Y 樹脂以一個顯著改進的 CTE 配置文件為特色。 多孔絲綢 Y 樹脂高溫熱擴散工作情況低於那超過 50% 甚而絲綢 D 樹脂和超過 150% 被改進相對絲綢樹脂和其他有機電介質材料的初期版本。

以前,熱擴散形成了在有機 ILD 材料的綜合化的一個可靠性挑戰,在熱循環,包括金屬互連故障期間, ILD 和這個障礙之間的重大的配錯存款在它可能導致複雜化和可靠性關心,根據使用的設計規律。

由於他們在聚合物矩陣基礎上,所有絲綢和多孔絲綢影片展示非常好的銘刻、清潔、抗潮濕能力、韌性和 CMP 兼容性與現有的集成電路製造工具。

「在毛孔範圍的此嚴重的低估和 CTE 性能未犧牲其他有形資產來。 作為 SiLKnet 聯盟數據網的 26 個合作夥伴展示了,多孔絲綢影片不遭受通過毒化,清潔化學汙穢或崩裂在 CMP 下機械重點和包裝」, McClear 說。 「在我們的知識和經驗的多孔絲綢 Y 樹脂編譯與早先絲綢樹脂和維護所有這些非常好的屬性」。

絲綢樹脂是系列空轉在,允許半導體製造商增加籌碼速度和性能的低的 k ILD 材料。 第一代絲綢樹脂產品提供處理銅波狀花紋和鋁/的鎢的,超過 35% 的 k 值減少 k=2.6 與常規化學氣相沉積 (CVD)氧化物電介質影片。 Dow 為與多孔絲綢樹脂的下一代籌碼技術提供一個清楚,可伸長的路徑。

張貼 2003年th 12月 15日

Date Added: Jan 7, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 08:01

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit