Samsung Rompe la Barrera de la Densidad Con la Introducción de Destello de 8Gbit NAND - Nuevo Producto

Samsung Electronics Co., Ltd., el líder mundial en tecnología de memoria avanzada de semiconductor, introdujo hoy el primer dispositivo de memoria Flash del 8Gbit NAND de la industria. El dispositivo de alta densidad permitirá a un nuevo nivel de funciones en diseños del subsistema del almacenamiento cubrir la demanda de rápido crecimiento para la memoria de productos como las cámaras digitales, Memorias USB de USB, las PDAs y los jugadores MP3.

“Las naves del destello de 8Gbit NAND en un Cuadrángulo de cabeza de la industria Mueren Paquete (QDP) y leverages la tecnología componente avance 2Gb de Samsung y el diseño De un solo nivel (SLC) de la Célula,” dijo a Jon Kang, el vicepresidente de las hojas de operación (planning) y de la ingeniería de producto en Samsung Electronics Corp. “El nuevo dispositivo del NAND se aprovecha de las capacidades de fabricación avance de la compañía y se produce en los fulminantes de 12 pulgadas en un proceso de 90 nanómetros.”

Los “teléfonos Movibles y los dispositivos convergidos del PDA están continuando agregar características de las multimedias como proyección de imagen, música, e incluso video digitales, “dijo Allen Leibovitch, Program Manager para los Semiconductores en IDC, en Mountain View, memoria Flash de la California NAND está creciendo en renombre como solución de alta densidad, más barata del almacenamiento de datos para los dispositivos movibles, y el espacio de la tarjeta en éstos diseña, especialmente los dispositivos de la cubierta, está en un premio.”

Se prevee que la producción en masa De los nuevos componentes del 8Gbit NAND de Samsung comience en el primer trimestre de 2004.

16 de diciembre de 2003 Asentadoth

Date Added: Feb 23, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:22

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