Samsung Brise le Barrage de Densité Avec l'Introduction du Flash du NON-ET 8Gbit - Produit Nouveau

Samsung Electronics Cie., Ltd, le leader mondial en technologie de stockage avancée de semi-conducteur, a aujourd'hui introduit le premier bloc de mémoires de mémoire flash du NON-ET 8Gbit de l'industrie. Le dispositif à haute densité permettra à un niveau neuf de fonctionnalité dans des designs de sous-système de mémoire de satisfaire la demande à croissance rapide de la mémoire des produits comme des appareils photo numériques, des USB Flash Drive, des PDA et des Lecteurs MP3.

« Les bateaux d'instantané du NON-ET 8Gbit dans une principale Quarte d'industrie Meurent Paquet (QDP) et influencent la technologie 2Gb de Samsung et le design constitutifs avancés (SLC) de Single Level Cell, » a dit Jon Kang, vice-président principal du plan de développement des produits et le bureau d'études à Samsung Electronics Corp. « Le dispositif neuf de NON-ET tire profit des capacités de fabrication avancées de la compagnie et est produit sur des disques de 12 pouces dans un procédé du nanomètre 90. »

Les « Téléphones portables et les périphériques portables convergés continuent à ajouter des fonctionnalités multimédias comme la représentation, la musique numérique, et même visuel, « a dit Allen Leibovitch, Gestionnaire de Programme pour des Semi-conducteurs à l'IDC, à Mountain View, mémoire flash de NON-ET de la Californie se développe dans la popularité comme solution à haute densité et plus peu coûteuse de stockage de données pour des périphériques mobiles, et l'espace de carton dans ces derniers conçoit, particulièrement des dispositifs de bloc supérieur, est à une prime. »

On s'attend à ce que la Production de masse des composants neufs du NON-ET 8Gbit de Samsung commence dans le premier trimestre de 2004.

Posté le 16 décembre 2003th

Date Added: Feb 23, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:05

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