Samsung Ломает Барьер Плотности С Введением Вспышки 8Gbit NAND - Нового Продукта

CO. Samsung Electronics, Ltd., мировой лидер в предварительной технологии памяти полупроводника, сегодня ввело прибор флэш-память 8Gbit NAND индустрии первый. High-density прибор позволит новый уровень функциональности в конструкциях подсистемы хранения соотвествовать быстро растущий для памяти от продуктов как цифровой фотокамера, Приводы Вспышки USB, PDAs и игроки MP3.

«Корабли вспышки 8Gbit NAND в Кваде индустрии ведущем Умирают Пакет (QDP) и leverages технология 2Gb Samsung выдвинутая компонентная и Одноуровенная конструкция (SLC) Клетки,» сказал Джон Kang, старший вице-президент планирования продукции и инженерства на CORP. Samsung Electronics «Новое преимущество взятий прибора NAND возможностей компании выдвинутых изготовляя и производит на вафлях 12 дюймов в процессе 90 нанометров.»

«Мобильные телефоны и сойденные handheld приборы продолжают добавить характеристики мультимедиа как воображение, цифровые нот, и даже видео-, «сказал Ален Leibovitch, Руководитель Программ для Полупроводников на IDC, в Горном Виде, флэш-память CALIF. NAND растет в славолюбии как high-density, более недорогое разрешение хранения данных для мобильных устройств, и космос доски в этих конструирует, специально приборы clamshell, на награде.»

Ожидано, что начинает Массовое производство компонентов 8Gbit NAND Samsung новых в первая четверти 2004.

Вывешенный 16-ое декабря 2003th

Date Added: Feb 23, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:20

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit