Nichtflüssiges MetallNano-Punkt- (MND)Speicher Entwickelt Durch Asahi-Glas - Neue Technologie

Asahi-Glas Co., Ltd. und eine Forschungsgruppe, die von Koyanagi, Professor der Hochschule für Aufbaustudien der Technik, Tohoku-Universität geführt wird, haben gefolgt, mit, einen neuen Permanentspeicher zu entwickeln, benannt Punkt-Speicher Metal (MND) Nano. Der MND-Speicher wird unter Verwendung der Absetzungstechnologie von MND-Film basiert auf den keramischen Technologien gemacht, die durch Asahi-Glas Co. entwickelt werden. Der MND-Film wird aus den extrem dichten Metall-nanodots verfasst, die in einer isolierenden Grundmasse eingebettet werden. Der MND-Speicher wird erwartet, um vorhandenen Flash-Speicher in naher Zukunft auszutauschen.

Nachfrage zu einem Permanentspeicher des High-density und der Hochleistung ist schnell gewachsen, während der Markt von mobilen Informationseinheiten in den letzten Jahren erweitert hat, deshalb sind viele Arten Permanentspeicher vorgeschlagen worden und nachgeforscht worden. Flash-Speicher ist der Permanentspeicher, wegen seiner, niedrigen Herstellungskosten mit hoher Schreibdichte und stabilen Operation und so weiter das weit verbreitetste. Jedoch ist das Herunterschrauben des Flash-Speicher-Zellengröße mehr und mehr schwierig geworden, weil die Tunnelbauoxidstärke nicht mit dem Zellengröße heruntergeschraubt werden kann wegen des Bedarfs, ausgezeichnete Ladungsspeicherung und -ausdauer zu halten. Um dieses Problem zu lösen, sind neue Typen von Speicherzellen, wie Silikon nanodot Speicher und MONOS-Speicher, vorgeschlagen worden. Jedoch haben diese Speicher nicht genug mit hoher Schreibdichte von Ladungsspeichersites, deshalb sind- Größe und Einheitlichkeit des Speicherfensters nicht genug. Professor Koyanagi beachtete den MND-Film, der durch Asahi-Glas Co. entwickelt wurde, um auf neuen Permanentspeicher zuzutreffen und hat mit Asahi-Glasingenieuren auf den Probeeinheiten gearbeitet. Die Fälschung der Probeeinheiten wurde am Risiko-Geschäfts-Labor von Tohoku-Universität durchgeführt.

Am 24. Dezember 2004 Bekannt gegebenth

Date Added: Feb 23, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:07

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