GaN-Innovation Erbringt LED, die Für Raue Umgebungen - Neue Technologie Entsprochen wird

Kopin Corp. kündigte eine neue ohmsche Kontakttechnologie auf Galliumnitrid an (GaN) das sehr niedrigen Durchgangswiderstand und ein sehr hohes Maß Stabilität hat. Details dieses neuen Kontaktes, der Epitaxial- auf GaN gebildet wird, werden in der Ausgabe Am 18. November der prestigevollen Angewandte Physik-Schreiben beschrieben. Dieses ist, das erste mal ein Epitaxial- (Monokristall) Kontakt auf GaN gebildet worden ist, und sollte polykristallinen Kontakten sein überlegen, die gewöhnlich in der Industrie verwendet werden.

Die neuen Patent-schwebenden ohmschen Kontakte, zusammen mit der vorher angekündigten NanoPockets-Technologie und anderen Verbesserungen, haben Kopin aktiviert, blaue LED-Chips (CyberLites) zu produzieren so hell wie jenes handelsüblich und doch durch viel Niederspannung getrieben werden können. CyberLites fordern weniger als 2,9 Volt Strom (für 20 Milli-Amperes des Stroms) - beträchtlich niedrig als 3,3 Volt für handelsübliche LED - und doch haben millicandela 100 Helligkeit. CyberLites mit Widerstand zur elektrostatischen Einleitung (ESD) über einiges tausend Volt werden auch erreicht.

„Es gibt viel innovative Wissenschaft hinter unserer hellen wenig Leuchte,“ sagte Dr. John C.C. Fan, Vorsitzender des Vorstandes von Kopin. „Die Anfangsreaktion von unseren möglichen Abnehmern ist ausgezeichnet, und wir machen sehr gute Fortschritte hinsichtlich des Ziels der Großserienfertigung. Wir begannen nicht die kommende LED-Beleuchtungsdrehbewegung, aber wir beabsichtigen, sie beträchtlich zu beschleunigen.“

Kopins neue ohmsche Kontakte werden durch die abgebenden Schichten gebildet, die Gold, Nickel und aus Gold auf der P-artigen GaN-Oberfläche bestehen und in einer Luft für 30 Minuten bei 470 Grad C. tempern. Die Goldschicht in Verbindung mit p-GaN wächst Epitaxial- über übereinstimmende Epitaxie des Gebietes, die als eine Schablone für Nickeloxidwachstum über Gitteranpassungsepitaxie auftritt. Spezifischer Durchgangswiderstand im Bereich 10 vom quadrierten microohm cm ist gemessen worden. Niedrigere Werte für Durchgangswiderstand werden mit weiterer Optimierung von Schichtstärke- und -ausglühenzuständen erwartet. Der Kontakt ist sehr stabil, Hochtemperaturumgebungen (350 Grad C für 30 Minuten) und ausgedehnte raue Betriebsbedingungen auszuhalten.

Die CyberLite-Kontakte verwenden die Gebietsepitaxietechnik, die von Dr. Jagdish Narayan erfunden wird und durch Kopin Corporation genehmigt ist. „Die Gebietsepitaxie ist ein neues Paradigma für Dünnfilmwachstum, in dem Filme mit großer Gitternichtübereinstimmung über das Übereinstimmen von integralen Mehrfachverbindungsstellen von Gitterflugzeugen über der Filmsubstratfläche Schnittstelle gewachsen werden können,“ sagte Dr. Narayan, Bemerkenswerter HochschulProfessor und Direktor von NSF-Mitte für Fortgeschrittenen Werkstoff und Smart-Zellen an der Staat North Carolina-Universität und Mitverfasser des Angewandte Physik-Briefpapiers. „Die Entstehung der Epitaxial- Auschicht auf GaN war bei Zimmertemperatur aufregend und sie kann durch unsere Gebietsepitaxie erklärt werden. Dieser eindeutige Epitaxial- Verbundwerkstoff des Gold- und Nickeloxids wird beabsichtigt, um wichtig zu sein, wenn man Niedrigwiderstandskraft ohmsche Kontakte im p-GaN erzielt. Nicht nur stellt diese ohmsche Kontakttechnologie, die für blaue LED wichtig ist, aber auch sehr aufregend wissenschaftlich.“ her

Nach Ansicht Professors Paul Holloway, Bemerkenswerter Professor der Material-Wissenschaft und der Technik, Universität von Florida, „die Gebietsepitaxie, zum von Epitaxial- Kontaktschichten mit großem Gitternichtpassen zu fabrizieren stellt einen sehr beträchtlichen Meilenstein im Dünnfilmwachstum, nicht nur für ohmsche Kontakte aber für Dünnfilmheterostrukturen, im Allgemeinen dar. Darüber hinaus ist ein Durchgangswiderstand 10 des microohm cm, das für P-artiges GaN quadriert wird, ausgezeichnet und ergibt die bessere Leistung der LED.“

Am 18. November 2002 Bekannt gegebenth

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:07

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