La Innovación de GaN Rinde LED Adecuado Para los Ambientes Duros - Nueva Tecnología

Kopin Corp. anunció una nueva tecnología óhmica del contacto en el nitruro del galio (GaN) que tiene resistencia de contacto muy inferior y mismo un alto nivel de estabilidad. Los Detalles de este nuevo contacto, que se forma epitaxial en GaN, se describen en la edición del 18 de noviembre de las Cartas prestigiosas de la Física Aplicada. Esto es la primera vez que un contacto (monocristalino) epitaxial se ha formado en GaN, y debe ser superior a los contactos policristalinos que se utilizan típicamente en la industria.

Los nuevos contactos óhmicos patente-pendientes, así como la tecnología previamente anunciada de NanoPockets y otras mejorías, han permitido a Kopin producir las virutas azules del LED (CyberLites) tan brillantes como eso disponible en el comercio pero se pueden impulsar por mucho de tensión inferior. CyberLites requiere menos de 2,9 voltios de electricidad (para 20 miliamperios de corriente) - importante más inferior de 3,3 voltios para el LED disponible en el comercio - pero tiene brillantez del millicandela 100. CyberLites con resistencia al licenciamiento electroestático (ESD) sobre varios miles de voltios también se obtiene.

“Hay mucha ciencia innovadora detrás de nuestra pequeña luz brillante,” dijo al Dr. Juan C.C. Fan, presidente y director general de Kopin. “La reacción inicial de nuestros clientes potenciales es excelente, y estamos haciendo progreso muy bueno hacia la meta de la producción en masa. No comenzamos la revolución del alumbrado del LED que venía, sino que nos preponemos acelerarla importante.”

Los nuevos contactos óhmicos de Kopin son formados por las capas de depósito que consisten en el oro, el níquel y el oro en el p-tipo superficie de GaN y destemplándolos en el aire por 30 minutos en 470 grados de C. La capa del oro en contacto con p-GaN crece epitaxial vía la epitaxia que corresponde con del dominio, que actúa como modelo para el incremento del óxido del níquel vía epitaxia el corresponder con de cedazo. La resistencia de contacto Específica en el rango 10 del microohm cm ajustado se ha medido. Valores Más Inferiores para la resistencia de contacto se preveen con la optimización adicional de las condiciones del espesor y de la esmaltación de la capa. El contacto es muy estable aguantar los ambientes des alta temperatura (350 grados de C por 30 minutos) y las condiciones duras ampliadas de la operación.

Los contactos de CyberLite utilizan la técnica de la epitaxia del dominio inventada por el Dr. Jagdish Narayan y autorizada por Kopin Corporation. “La epitaxia del dominio es un nuevo paradigma para el incremento de película fina donde las películas con discordancía grande del cedazo se pueden crecer vía corresponder con de múltiplos integrales de los aviones de cedazo a través del interfaz del película-substrato,” dijo al Dr. Narayan, Catedrático Distinguido y Director del Centro del NSF para los Materiales Avanzados y las Estructuras Elegantes en la Universidad de Estado de Carolina del Norte, y co-autor del papel de Cartas de la Física Aplicada. “La formación de capa epitaxial del Au en GaN en la temperatura ambiente era emocionante y puede ser explicada por nuestra epitaxia del dominio. Esta estructura compuesta epitaxial única del óxido del oro y del níquel se considera para ser importante en lograr contactos óhmicos de la inferior-resistencia en p-GaN. No sólo esta tecnología óhmica del contacto importante para el LED azul está fabricando, pero también muy emocionante científico.”

Según Profesor Paul Holloway, Profesor Distinguido de la Ciencia Material y de la Ingeniería, Universidad de la Florida, la “epitaxia del Dominio para fabricar capas epitaxiales del contacto con la cosa mal encajada grande del cedazo representa una piedra miliaria muy importante en incremento de película fina, no sólo para los contactos óhmicos pero para las heteroestructuras de la película fina, en general. Además, una resistencia de contacto 10 del microohm cm ajustado para el p-tipo GaN es excelente y da lugar al mejor funcionamiento del LED.”

18 de noviembre de 2002 Asentadoth

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:22

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