L'Innovation de GaN Fournit des LED Adaptés aux Environnements Brutaux - Technologie Neuve

Kopin Corp. a annoncé une technologie par effet de Joule neuve de contact sur la nitrure de gallium (GaN) qui a la résistance de contact très faible et très un niveau élevé de stabilité. Des Détails de ce contact neuf, qui est formé épitaxial sur GaN, sont décrits dans l'édition du 18 novembre des Lettres prestigieuses de Physique Appliquée. C'est la première fois qu'un contact (mono-cristallin) épitaxial a été formé sur GaN, et devrait être supérieur aux contacts polycristallins qui sont type utilisés dans l'industrie.

Les contacts par effet de Joule de brevet en instance neuf, avec la technologie précédemment annoncée de NanoPockets et d'autres améliorations, ont permis à Kopin de produire les puces bleues de LED (CyberLites) aussi lumineuses que ces disponible dans le commerce mais peuvent être pilotés par beaucoup à tension inférieure. CyberLites ont besoin de moins de 2,9 volts de l'électricité (pour 20 milliampères de courant) - sensiblement plus faiblement que 3,3 volts pour des LED disponibles dans le commerce - mais ont la brilliance du millicandela 100. CyberLites avec la résistance au débit électrostatique (ESD) au-dessus de plusieurs milliers de volts sont également obtenus.

« Il y a beaucoup de science novatrice derrière notre petite lumière lumineuse, » a dit M. John C.C. Fan, président directeur général de Kopin. « La première réaction de nos abonnées potentielles est excellente, et nous accomplissons le progrès très bon vers l'objectif de la production de masse. Nous n'avons pas commencé la prochaine révolution d'éclairage de LED, mais nous avons l'intention de l'accélérer de manière significative. »

Les contacts par effet de Joule neufs de Kopin sont constitués par des couches déposantes se composant de l'or, du nickel et de l'or sur la surface de type p de GaN et les recuisant en air pendant 30 mn à 470 degrés de C. La couche d'or en contact avec le p-GaN se développe épitaxial par l'intermédiaire de l'épitaxie assortie de domaine, qui agit en tant que descripteur pour l'accroissement d'oxyde de nickel par l'intermédiaire de l'épitaxie de apparier de réseau. La résistance de contact Particulière de l'ordre du cm de 10 microohm carré a été mesurée. Des valeurs Plus Basses pour la résistance de contact sont prévues avec davantage d'optimisation des états d'épaisseur et d'adoucissement de couche. Le contact est très stable pour supporter les environnements à hautes températures (350 degrés de C pendant 30 mn) et les états brutaux étendus de fonctionnement.

Les contacts de CyberLite emploient la technique d'épitaxie de domaine inventée par M. Jagdish Narayan et qualifiée par Kopin Corporation. « L'épitaxie de domaine est un paradigme neuf pour l'accroissement de film mince où des films avec la grande erreur d'assortiment de réseau peuvent être développés par l'intermédiaire d'apparier des multiples intégraux des plans de réseau en travers de la surface adjacente de film-substrat, » a dit le M. Narayan, Professeur d'Université Distingué et Directeur de Centre de NSF pour les Matériaux Avancés et les Structures Intelligentes à l'Université De L'Etat De la Caroline du Nord, et le co-auteur du papier de Lettres de Physique Appliquée. « La formation d'une couche épitaxiale d'Au sur GaN à la température ambiante excitait et elle peut être expliquée par notre épitaxie de domaine. Cette seule structure composée épitaxiale d'oxyde d'or et de nickel est envisagée pour être importante en réalisant les contacts par effet de Joule de faible-résistivité dans le p-GaN. Non seulement cette technologie par effet de Joule de contact importante pour le LED bleu fabrique-t-elle, mais également très passionnant scientifiquement. »

Selon Professeur Paul Holloway, le Professeur Distingué du Scientifique et Technique de Matériaux, Université de la Floride, la « épitaxie de Domaine pour fabriquer des couches épitaxiales de contact avec le grand vêtement manqué de réseau représente une étape très significative dans l'accroissement de film mince, non seulement pour les contacts par effet de Joule mais pour des hétérostructures de film mince, en général. De plus, une résistance de contact du cm de 10 microohm carré pour GaN de type p est excellente et a comme conséquence la performance meilleure du LED. »

Posté le 18 novembre 2002th

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:05

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