L'Innovazione di GaN Rende il LED Adatto Per gli Ambienti Duri - Nuova Tecnologia

Kopin Corp. ha annunciato una nuova tecnologia ohmica del contatto sul nitruro di gallio (GaN) che ha la resistenza di contatto molto bassa e molto un alto livello di stabilità. I Dettagli di questo nuovo contatto, che è formato epitassiale su GaN, sono descritti nell'edizione del 18 novembre delle Lettere prestigiose di Fisica Applicata. Ciò è la prima volta un contatto (monocristallino) epitassiale è stato formato su GaN e dovrebbe essere superiore ai contatti policristallini che sono utilizzati tipicamente nell'industria.

I nuovi contatti ohmici brevetto-in corso, insieme alla tecnologia precedentemente annunciata di NanoPockets e ad altri miglioramenti, hanno permesso a Kopin di produrre i chip blu del LED (CyberLites) luminosi quanto quel disponibile nel commercio ma possono essere guidati da molto a voltaggio inferiore. CyberLites richiede meno di 2,9 volt dell'elettricità (per 20 milliampere di corrente) - significativamente più basso di 3,3 volt per il LED disponibile nel commercio - ma ha luminosità di millicandela 100. CyberLites con la resistenza a scarica elettrostatica (ESD) sopra parecchie migliaia di volt egualmente è ottenuto.

“C'è molta scienza innovatrice dietro il nostro piccolo indicatore luminoso luminoso,„ ha detto il Dott. John C.C. Fan, presidente e direttore generale di Kopin. “La reazione iniziale dai nostri clienti potenziali è eccellente e stiamo realizzando i progressi molto buoni verso lo scopo di fabbricazione in serie. Non abbiamo iniziato la rivoluzione venente di illuminazione del LED, ma intendiamo accelerarlo significativamente.„

I nuovi contatti ohmici di Kopin sono costituiti dal deposito dei livelli che consistono dell'oro, del nichel e dell'oro sulla superficie P tipa di GaN e tempranti in aria per 30 minuti a 470 gradi di C. Il livello dell'oro in contatto con p-GaN si sviluppa epitassiale via l'epitassia di corrispondenza del dominio, che funge da modello per la crescita dell'ossido del nichel via l'epitassia della corrispondenza di grata. La resistenza di contatto Specifica nell'ordine 10 di microohm cm quadrato è stata misurata. I valori Più Bassi per la resistenza di contatto sono preveduti con ulteriore ottimizzazione degli stati di spessore e di ricottura del livello. Il contatto è molto stabile resistere agli ambienti ad alta temperatura (350 gradi di C per 30 minuti) ed agli stati duri estesi dell'operazione.

I contatti di CyberLite utilizzano la tecnica di epitassia del dominio inventata dal Dott. Jagdish Narayan e conceduta una licenza a da Kopin Corporation. “L'epitassia del dominio è un nuovo paradigma per la crescita di pellicola sottile dove le pellicole con il grande disadattamento della grata possono svilupparsi via la corrispondenza dei multipli integrali degli aerei di grata attraverso l'interfaccia del pellicola-substrato,„ ha detto il Dott. Narayan, Professore Universitario Distinto e Direttore del Centro del NSF per i Materiali Avanzati e Strutture Astute alla North Carolina State University e co-author del documento di Lettere di Fisica Applicata. “La formazione di livello epitassiale dell'Au su GaN alla temperatura ambiente era emozionante e può essere spiegata tramite la nostra epitassia del dominio. Questa struttura composita epitassiale unica dell'ossido del nichel e dell'oro è preveduta per essere importante nel raggiungimento dei contatti ohmici di basso resistività nel p-GaN. Non solo questa tecnologia ohmica del contatto importante per il LED blu sta fabbricando, ma anche molto emozionante scientifico.„

Secondo il Professor Paul Holloway, il Professor Distinto di Scienza dei Materiali e di Assistenza Tecnica, Università di Florida, “l'epitassia del Dominio per da costruzione i livelli epitassiali del contatto con il grande indumento sbagliato della grata rappresenta una pietra miliare molto significativa nella crescita di pellicola sottile, non solo per i contatti ohmici ma per le eterostrutture della pellicola sottile, in generale. Inoltre, una resistenza di contatto 10 di microohm cm quadrato per GaN P tipo è eccellente e provoca la prestazione migliore del LED.„

18 novembre 2002 Inviatoth

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:09

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