GaN の革新は粗い環境に適する LEDs - 新技術をもたらします

Kopin Corp. は安定性の非常に低い接触抵抗そして非常に高度があるガリウム窒化物 (GaN) の新しい抵抗接触の技術を発表しました。 GaN でエピタクシー的に形作られるこの新しい接触の細部は著名な応用物理の文字の 11 月 18 日の版で記述されています。 これはエピタキシアル (単一結晶の) 接触が GaN で形作られた時で、最初に企業で普通使用される多結晶性接触より優秀なべきです。

新しいパテント保留中の抵抗接触は、 NanoPockets の前に発表された技術および他の改善とともに、 Kopin がそれらの商用化された明るい青い LED チップ (CyberLites) を作り出すことを可能にしましたり今までのところでは大いに低電圧によって運転することができます。 CyberLites は電気の 2.9 ボルト以下 (流れ 20 ミリアンペアののために) - 商用化された LEDs のためのかなり低くより 3.3 ボルト - 必要としましたり今までのところでは 100 millicandela の明るさがあります。 数千のボルト上の静電放電への (ESD)抵抗の CyberLites はまた得られます。

「私達の明るく小さいライトの後ろに多くの革新的な科学があります」、先生を社長兼最高経営責任者言いましたジョン C.C. Fan、 Kopin の。 「私達の潜在的な顧客からの最初の反作用は優秀であり、私達は大量生産の目的の方の非常によい進歩をしています。 私達は来る LED の照明回転を開始しませんでしたが、それをかなり加速するように意図します」。

Kopin の新しい抵抗接触は GaN の p タイプの表面の金、ニッケルおよび金から成り、 470 の摂氏温度の 30 分の空気でアニールする沈殿の層形作られます。 p-GaN と接触する金の層は格子一致のエピタクシーによってニッケルの酸化物の成長のためのテンプレートとして機能する領域の一致のエピタクシーによってエピタクシー的に育ちます。 平方される 10 microohm の範囲の特定の接触抵抗は cm 測定されました。 接触抵抗のためのより低い値は層の厚さおよびアニーリングの状態のそれ以上の最適化と期待されます。 接触は非常に安定しています高温度の環境 (30 分の 350 の摂氏温度) および拡張された粗い操作の状態に耐えるために。

CyberLite の接触は先生が Jagdish Narayan 発明し、 Kopin Corporation によって認可される領域のエピタクシーの技術を利用します。 「領域のエピタクシーノースカロライナの州立大学で大きい格子不適当な組み合わせが付いているフィルムがフィルム基板インターフェイスを渡る格子平面の整数倍の一致によって育てることができる薄膜の成長のための新しい範例」は言いました Narayan 先生、先端材料のための NSF の中心の顕著な大学教授およびディレクターおよびスマートな構造、および応用物理の文字ペーパーの共著者です。 「室温の GaN のエピタキシアル Au の層の形成はエキサイティングであり、私達の領域のエピタクシーによって説明することができます。 金およびニッケルの酸化物のこの一義的なエピタキシアル合成の構造は p-GaN の低抵抗の抵抗接触の達成において重要であるために予想されます。 青い LED のために重要なこの抵抗接触の技術は製造していますただ、また非常にエキサイティング科学的に」。

教授物質科学および工学のフロリダの大学の顕著な教授に従ってポール Holloway、製造する 「大きい格子不適当な物とのエピタキシアル接触の層を領域のエピタクシーは抵抗接触のためのだけ薄膜のヘテロ構造のための薄膜の成長の非常に重要なマイルストーンを、一般に表します。 さらに、 p タイプの GaN のために平方される 10 microohm の接触抵抗は cm 優秀で、 LED のよりよいパフォーマンスで起因します」。

2002 年 11 月th 18 日掲示される

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:11

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