De Opbrengsten LEDs van de Innovatie van GaN Geschikt Voor Ruwe Milieu's - Nieuwe Technologie

Kopin Corp. kondigde een nieuwe ohmic contacttechnologie op galliumnitride (aan GaN) dat zeer lage contactweerstand en een zeer hoge graad van stabiliteit heeft. De Details van dit nieuwe contact, dat epitaxially op GaN wordt gevormd, worden beschreven in de 18 uitgave van Nov. van de prestigieuze Toegepaste Brieven van de Fysica. Dit is de eerste keer is een epitaxial (single-crystalline) contact gevormd op GaN, en superieur gemoeten aan polycrystalline contacten zijn die typisch in de industrie worden gebruikt.

Nieuw octrooi-in afwachting van ohmic contacten, samen met de eerder aangekondigde technologie NanoPockets en andere verbeteringen, heeft Kopin toegelaten om blauwe LEIDENE spaanders (CyberLites) zo te produceren helder zoals in de handel verkrijgbaar die en toch door veel met geringer voltage kunnen worden gedreven. CyberLites vereist minder dan 2.9 volts van elektriciteit (voor 20 milliampères stroom) - beduidend lager dan 3.3 volts voor in de handel verkrijgbare LEDs - en toch hebben 100 millicandelahelderheid. CyberLites met weerstand tegen elektrostatische lossing (ESD) meer dan verscheidene duizend volts wordt ook verkregen.

„Er is heel wat innovatieve wetenschap achter onze helder weinig licht,“ zei Dr. John C.C. Ventilator, voorzitter en presidentambtenaar van Kopin. De „aanvankelijke reactie van onze potentiële klanten is uitstekend, en wij boeken zeer goede vooruitgang naar het doel van massaproduktie. Wij begonnen niet de komende LEIDENE verlichtingsrevolutie, maar wij zijn van plan het beduidend te versnellen.“

Worden de nieuwe ohmic contacten van Kopin door het deponeren lagen gevormd die uit goud, nikkel en goud op de p-type oppervlakte van GaN en het ontharden in lucht 30 minuten bij 470 graden van C. bestaan. De gouden laag in contact met p-GaN groeit epitaxially via domein passende epitaxy, die als malplaatje voor de groei van het nikkeloxyde via rooster passende epitaxy dienst doet. De Specifieke contactweerstand in de waaier van 10 geregelde microohm cm is gemeten. De Lagere waarden voor contactweerstand worden verwacht met verdere optimalisering van laagdikte en onthardende voorwaarden. Het contact is zeer stabiel om milieu's op hoge temperatuur (350 graden van C 30 minuten) en uitgebreide ruwe verrichtingsvoorwaarden te verdragen.

De contacten CyberLite gebruiken de domeinepitaxy techniek door Dr. dat Jagdish Narayan wordt en door Kopin Corporation vergunning die wordt gegeven uitgevonden die. „Domeinepitaxy is een nieuw paradigma voor de dunne filmgroei waar de films met grote roosterwanverhouding via aanpassing van integrale veelvouden van roostervliegtuigen over de film-substraat interface kunnen worden gekweekt,“ zei Dr. Narayan, Voorname Universitaire Professor en Directeur van Centrum NSF voor Geavanceerde Materialen en Slimme Structuren bij De Universiteit van de Staat van Noord-Carolina, en medeauteur van het Toegepaste document van de Brieven van de Fysica. De „vorming van epitaxial laag van Au op GaN bij kamertemperatuur was opwekkend en het kan door onze domeinepitaxy worden verklaard. Deze unieke epitaxial samengestelde structuur van goud en nikkeloxyde is overwogen belangrijk om te zijn in het bereiken van laag-weerstandsvermogen ohmic contacten in p-GaN. Niet alleen is deze ohmic contacttechnologie belangrijk voor blauwe LEIDENE productie, maar ook zeer wetenschappelijk het opwekken.“

Volgens Professor Paul Holloway, Onderscheidde Professor van de Wetenschap van Materialen en de Techniek, Universiteit van Florida, „epitaxy van het Domein om epitaxial contactlagen met groot roosterbuitenbeentje te vervaardigen vertegenwoordigt een zeer significante mijlpaal in de dunne filmgroei, niet alleen voor ohmic contacten maar voor dunne filmheterostructuren, in het algemeen. Bovendien is een contactweerstand van 10 microohm cm voor p-type GaN wordt geregeld uitstekend en resulteert in de betere prestaties van LEIDEN die.“

Gepost 18th November 2002

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:03

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit