A Inovação de GaN Rende o Diodo emissor de luz Serido Para Ambientes Ásperos - Nova Tecnologia

Kopin Corp. anunciou uma tecnologia ôhmica nova do contacto no nitreto do gálio (GaN) que tem a resistência de contacto muito baixa e muito um alto nível da estabilidade. Os Detalhes deste contacto novo, que é formado epitaxially em GaN, são descritos na edição do 18 de novembro das Letras prestigiosas da Física Aplicada. Isto é a primeira vez que um contacto (monocristalino) epitaxial foi formado em GaN, e deve ser superior aos contactos policristalinos que são usados tipicamente na indústria.

Os contactos ôhmicos patente-pendentes novos, junto com a tecnologia previamente anunciada de NanoPockets e outras melhorias, permitiram Kopin de produzir as microplaquetas azuis do DIODO EMISSOR DE LUZ (CyberLites) tão brilhantes quanto aquele disponível no comércio no entanto podem ser conduzidos por uma tensão muito mais baixa. CyberLites exige menos de 2,9 volts da electricidade (para 20 miliampères de corrente) - significativamente mais baixa de 3,3 volts para o Diodo emissor de luz disponível no comércio - no entanto tem o brilho do millicandela 100. CyberLites com resistência à descarga electrostática (ESD) sobre diverso mil volts é obtido igualmente.

“Há muita ciência inovativa atrás de nossa luz pequena brilhante,” disse o Dr. John C.C. Ventilador, presidente e director-geral de Kopin. “A reacção inicial de nossos clientes potenciais é excelente, e nós estamos fazendo o progresso muito bom para o objetivo da produção em massa. Nós não começamos a revolução de vinda da iluminação do DIODO EMISSOR DE LUZ, mas nós pretendemos acelerá-la significativamente.”

Os contactos ôhmicos novos de Kopin são formados pelas camadas de depósito que consistem no ouro, no níquel e no ouro no p-tipo superfície de GaN e recozendo no ar por 30 minutos em 470 graus de C. A camada do ouro em contacto com o p-GaN cresce epitaxially através da epitaxia de harmonização do domínio, que actua como um molde para o crescimento do óxido do níquel através da epitaxia da harmonização de estrutura. A resistência de contacto Específica na escala 10 do microohm cm esquadrado foi medida. Uns Mais Baixos valores para a resistência de contacto são esperados com optimização mais adicional de condições da espessura e do recozimento da camada. O contacto é muito estável resistir ambientes de alta temperatura (350 graus de C por 30 minutos) e condições ásperas estendidas da operação.

Os contactos de CyberLite utilizam a técnica da epitaxia do domínio inventada pelo Dr. Jagdish Narayan e licenciada por Kopin Corporaçõ. “A epitaxia do domínio é um paradigma novo para o crescimento de filme fino onde os filmes com grande má combinação da estrutura podem ser crescidos através da harmonização de múltiplos integrais de planos de estrutura através da relação da filme-carcaça,” disse o Dr. Narayan, Distinto Catedrático e Director do Centro do NSF para Materiais Avançados e Estruturas Espertas na Universidade Estadual de North Carolina, e no co-autor do papel de Letras da Física Aplicada. “A formação de camada epitaxial do Au em GaN na temperatura ambiente era emocionante e pode ser explicada por nossa epitaxia do domínio. Esta estrutura composta epitaxial original do óxido do ouro e do níquel é prevista para ser importante em conseguir contactos ôhmicos da baixo-resistividade no p-GaN. Não somente esta tecnologia ôhmica do contacto importante para o DIODO EMISSOR DE LUZ azul está fabricando, mas também muito emocionante scientifically.”

De acordo com o Professor Paul Holloway, Distinto Professor da Ciência de Materiais e da Engenharia, Universidade de Florida, do “a epitaxia Domínio para fabricar camadas epitaxial do contacto com o grande desajuste da estrutura representa um marco miliário muito significativo no crescimento de filme fino, não somente para contactos ôhmicos mas para heterostrutura do filme fino, geralmente. Além, uma resistência de contacto 10 do microohm cm esquadrado para o p-tipo GaN é excelente e conduz ao desempenho melhor do DIODO EMISSOR DE LUZ.”

18 de novembro de 2002 Afixadoth

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:18

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