Рационализаторство GaN Производит СИД Одетое Для Жестковатых Окружающих Сред - Новую Технологию

Kopin CORP. объявило новую омовскую технологию контакта на нитриде галлия (GaN) который имеет очень низкое контактное сопротивление и очень высокую степень стабилности. Детали этого нового контакта, который сформирован эпитаксиально на GaN, описаны в варианте 18-ое ноября престижных Писем Прикладной Физики. Это в первый раз эпитаксиальный (одиночн-кристаллический) контакт был сформирован на GaN, и должно быть главно к поликристаллическим контактам которые типично использованы в индустрии.

Новые доступного ожидания омовские контакты, вместе с ранее объявленной технологией NanoPockets и другими улучшениями, позволяли Kopin произвести голубые обломоки СИД (CyberLites) как яркие как т имеюще на рынке или/и могут управляться гораздо низкее напряжением тока. CyberLites требует меньш чем 2,9 вольтов электричества (для 20 миллиамперов течения) - значительно низко чем 3,3 вольтов для имеющего на рынке СИД - или/и имеет яркость millicandela 100. CyberLites с сопротивлением к электростатической разрядке (ESD) над нескольк тысячей вольтами также получено.

«Много новаторская наука за нашим ярким маленьким светом,» сказал Др. Джон C.C. Вентилятор, президент и генеральный директор Kopin. «Начальная реакция от наших потенциальных клиентов превосходна, и мы делаем очень хороший прогресс к цели массового производства. Мы не начали приходя виток освещения СИД, но мы предназначаем ускорить ход его значительно.»

Контакты Kopin новые омовские сформированы путем депозируя слои состоя из золота, никеля и золота на p-типе поверхности GaN и обжигая в воздухе на 30 минут на 470 градусах C. Слой золота в контакте с p-GaN растет эпитаксиально через эпитаксию домена соответствуя, которая действует как шаблон для роста окиси никеля через эпитаксию соответствовать решетки. Специфическое контактное сопротивление в границах 10 приданного квадратную форму microohm cm было измерено. Более Низкие значения для контактного сопротивления предположены с более дальнеишим оптимизированием условий толщины и отжига слоя. Контакт очень стабилизирован для того чтобы вытерпеть высокотемпературные окружающие среды (350 градусов C на 30 минут) и расширенные жестковатые условия деятельности.

Контакты CyberLite используют метод эпитаксии домена изобретенный Др. Jagdish Narayan и лицензированный Kopin Корпорацией. «Эпитаксия домена новая парадигма для роста тонкого фильма где фильмы с большим рассогласованием решетки можно вырасти через соответствовать целых кратных сетчатых плоскостей через интерфейс фильм-субстрата,» сказала Др. Narayan, Выдающийся Профессора Университета и Директор Центра NSF для Предварительных Материалов и Умных Структур на Государственном Университете Северной Каролины, и соавторе бумаги Писем Прикладной Физики. «Образование эпитаксиального слоя Au на GaN на комнатной температуре было exciting и оно может быть объяснено нашей эпитаксией домена. Envisaged, что будет Эта уникально эпитаксиальная составная структура окиси золота и никеля важна в достигать контактов низк-резистивности омовских в p-GaN. Не только эта омовская технология контакта важная для голубого СИД изготовляет, но также очень exciting научно.»

Согласно Профессору Паылю Holloway, Выдающийся Профессору Науки Материалов и Инджинирингу, Университету Флориды, «эпитаксия Домена для того чтобы изготовить эпитаксиальные приконтактные слои с большой неудачей решетки представляет очень значительно основной этап работ в росте тонкого фильма, не только для омовских контактов но для гетероструктур тонкого фильма, вообще. В добавлении, контактное сопротивление 10 microohm cm приданного квадратную форму для p-типа GaN превосходно и приводит к в более лучшем представлении СИД.»

Вывешенный 18-ое ноября 2002th

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:20

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit