GaN 创新产生于苛刻的环境适合的 LEDs - 新技术

Kopin Corp. 宣布了在有非常低接触电阻和非常高度稳定性的镓氮化物 (GaN) 的新的电阻的联络技术。 此新的联络详细资料,在 GaN 被形成外延地,在有名望的应用物理学信函的 11月 18日编辑被描述。 这在典型地用于这个行业的多晶的联络是,第一次外延 (单一水晶) 联络在 GaN 被形成了,并且应该是优越。

新的专利待定电阻的联络,与以前宣布的 NanoPockets 技术和其他改善一起,使 Kopin 生产蓝色 LED 筹码 (CyberLites) 一样明亮象那些商业可用,仍然可以被低电压驱动。 CyberLites 需要少于 2.9 伏特电 (为 20 毫安当前) - 显着更低比商业可用的 LEDs 的 3.3 伏特 -,仍然有 100 millicandela 亮光。 与阻力的 CyberLites 对在数千 (ESD)伏特的静电释放也获得。

“有在我们明亮的一点光后的很多创新科学”,约翰 C.C. Fan, Kopin 的博士说总裁兼首席执行官。 “从我们潜在的客户的最初的回应是非常好的,并且我们取得非常往大量生产的目标的好进展。 我们没有开始以后的 LED 照明设备革命,但是我们打算极大加速它”。

Kopin 的新的电阻的联络由包括金子、镍和金子在 p 型的 GaN 表面和锻炼在航空的存款的层形成 30 分钟在 470 摄氏度。 与 p-GaN 联系的金子层通过域配比的外延增长外延地,作为镍氧化物增长的一块模板通过点阵匹配外延。 在 10 cm 范围内的特定接触电阻被摆正的 microohm 被评定了。 接触电阻的更加低值的预计与层厚度和焖火情况的进一步优化。 联络是非常稳定的忍受高温环境 (350 摄氏度 30 分钟) 和被扩大的苛刻的运算情况。

CyberLite 联络使用 Kopin 发明由 Jagdish Narayan 博士和准许的域外延技术 Corporation。 “域外延是与大格子配错的影片可以通过符合晶格面的整倍数增长在影片基体界面间的薄膜增长的新的示例”,在北卡罗来纳州立大学说 Narayan 博士,著名的 NSF 中心的大学教授和主任高级材料和聪明的应用物理学信笺纸的结构和共同执笔者。 “外延澳大利亚层的形成在 GaN 的在室温是扣人心弦的,并且它可以用我们的域外延解释。 金和镍氧化物此唯一外延综合结构被想象是重要在达到在 p-GaN 的低抵抗力电阻的联络。 不仅此电阻的联络技术重要对蓝色 LED 制造,而且非常扣人心弦科学地”。

根据保罗 Holloway,材料学和工程,佛罗里达大学著名的教授教授, “制造与大格子不称职的外延联络层的域外延表示在薄膜增长的一个非常重大的重要事件,不仅电阻的联络的,但是薄膜异质结构的,一般来说。 另外,为 p 型的 GaN cm 摆正的接触电阻 10 microohm 是非常好的并且导致 LED 的更好的性能”。

张贴 2002年th 11月 18日

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 12:59

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