GaN 創新產生於苛刻的環境適合的 LEDs - 新技術

Kopin Corp. 宣佈了在有非常低接觸電阻和非常高度穩定性的鎵氮化物 (GaN) 的新的電阻的聯絡技術。 此新的聯絡詳細資料,在 GaN 被形成外延地,在有名望的應用物理學信函的 11月 18日編輯被描述。 這在典型地用於這個行業的多晶的聯絡是,第一次外延 (單一水晶) 聯絡在 GaN 被形成了,并且應該是優越。

新的專利待定電阻的聯絡,與以前宣佈的 NanoPockets 技術和其他改善一起,使 Kopin 生產藍色 LED 籌碼 (CyberLites) 一樣明亮像那些商業可用,仍然可以被低電壓驅動。 CyberLites 需要少於 2.9 伏特電 (為 20 毫安當前) - 顯著更低比商業可用的 LEDs 的 3.3 伏特 -,仍然有 100 millicandela 亮光。 與阻力的 CyberLites 對在數千 (ESD)伏特的靜電釋放也獲得。

「有在我們明亮的一點光後的很多創新科學」,約翰 C.C. Fan, Kopin 的博士說總裁兼首席執行官。 「從我們潛在的客戶的最初的回應是非常好的,并且我們取得非常往大量生產的目標的好進展。 我們沒有開始以後的 LED 照明設備革命,但是我們打算極大加速它」。

Kopin 的新的電阻的聯絡由包括金子、鎳和金子在 p 型的 GaN 表面和鍛煉在航空的存款的層形成 30 分鐘在 470 攝氏度。 與 p-GaN 聯繫的金子層通過域配比的外延增長外延地,作為鎳氧化物增長的一塊模板通過點陣匹配外延。 在 10 cm 範圍內的特定接觸電阻被擺正的 microohm 被評定了。 接觸電阻的更加低值的預計與層厚度和燜火情況的進一步優化。 聯絡是非常穩定的忍受高溫環境 (350 攝氏度 30 分鐘) 和被擴大的苛刻的運算情況。

CyberLite 聯絡使用 Kopin 發明由 Jagdish Narayan 博士和准許的域外延技術 Corporation。 「域外延是與大格子配錯的影片可以通過符合晶格面的整倍數增長在影片基體界面間的薄膜增長的新的示例」,在北卡羅來納州立大學說 Narayan 博士,著名的 NSF 中心的大學教授和主任高級材料和聰明的應用物理學信箋紙的結構和共同執筆者。 「外延澳大利亞層的形成在 GaN 的在室溫是扣人心弦的,并且它可以用我們的域外延解釋。 金和鎳氧化物此唯一外延綜合結構被想像是重要在達到在 p-GaN 的低抵抗力電阻的聯絡。 不僅此電阻的聯絡技術重要對藍色 LED 製造,而且非常扣人心弦科學地」。

根據保羅 Holloway,材料學和工程,佛羅里達大學著名的教授教授, 「製造與大格子不稱職的外延聯絡層的域外延表示在薄膜增長的一個非常重大的重要事件,不僅電阻的聯絡的,但是薄膜異質結構的,一般來說。 另外,為 p 型的 GaN cm 擺正的接觸電阻 10 microohm 是非常好的并且導致 LED 的更好的性能」。

張貼 2002年th 11月 18日

Date Added: Mar 12, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 13:01

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit