高平公司日前宣布推出一個新的氮化鎵歐姆接觸技術（氮化鎵），具有非常低的接觸電阻和一個穩定的程度非常高。這種新的聯繫的詳細信息，這是上形成的GaN外延，是在著名的應用物理快報11月18日版 。 這是首次在GaN外延（單晶）聯繫已形成，並應優於多晶矽行業中通常使用接觸。 正在申請專利的新的歐姆接觸，連同先前宣布的NanoPockets技術和其他改善措施，使高平那些市售，但可以通過較低的電壓驅動產生明亮的藍色LED芯片（ CyberLites）。 CyberLites要求小於2.9伏的電力（電流為20毫安） -顯著低於3.3伏市售的LED -尚未有亮度100毫。電阻超過幾千伏的靜電放電（ESD）的同時，也得到CyberLites 。 “有很多創新科技背後的明亮的小光，博士說：”陳祖澤電風扇，Kopin的總裁和首席執行官 。 “從我們的潛在客戶的最初的反應是出色的，我們正在實現大規模生產的目標的進展情況非常良好，我們沒有啟動未來LED照明革命，但我們打算顯著加速。“ Kopin的新的歐姆接觸形成了黃金，鎳和金組成的沉積層對p型GaN表面，退火溫度在470攝氏度的金層與p型氮化鎵接觸，並在30分鐘的空氣通過域生長外延匹配外延通過晶格匹配外延行為作為模板，氧化鎳增長 。 已microohm 10平方厘米範圍內的具體接觸電阻測量 。 預計，隨著進一步優化層的厚度和退火條件下接觸電阻值。聯繫是非常穩定的，要忍受高溫環境下（350度30分鐘）和擴展的操作條件苛刻。 CyberLite接觸利用傑格迪什納拉揚博士發明域外延技術和高平公司的授權 。 納拉揚博士，特聘教授和國家科學基金會中心主任說：“域的外延薄膜生長是一個大的晶格失配的電影可以通過匹配整個薄膜-基底界面的晶面的整數倍數增長的新範式“ 在北卡羅萊納州立大學，先進材料和智能結構和應用物理快報紙合著者。 “金在GaN外延層的形成在室溫下是令人興奮的的，它可以解釋我們的域名外延。這種獨特的外延黃金和氧化鎳複合結構的設想，以實現低電阻p型氮化鎵歐姆接觸的重要不僅是這個歐姆接觸藍光LED製造技術的重要，也非常令人興奮的科學。“ 據保羅霍洛威教授，材料科學與工程系特聘教授，佛羅里達大學，“域名的外延，以編造大的晶格失配外延接觸層在薄膜生長的非常重要的里程碑，不僅為歐姆接觸，但對薄膜異質此外，一般的10 microohm厘米的接觸電阻p型氮化鎵平方是優秀的和更好的性能的LED結果。 “ |