應用的開發鍺在裝绝緣體工基體的材料和 Soitec - 新技術

Applied Materials, Inc. 和 Soitec 宣佈了一個有戰略意義的協議共同地開發先進的被設計的 (GeOI)鍺在裝绝緣體工和其他相關重要基於 Ge 的進程極大提高晶體管性能在這个 45nm 和在技術節點之外。 公司將結合 Soitec 的聰明的剪切技術和設計的基體專門技術的功率以應用的 Centura RP Epi 系統的先進的外延證言功能加速這些下一代基體的發展和生產。

「我們高興地協力與行業領袖被應用的材料啟用進一步材料創新」, Soitec 的業務執行責任者說帕斯卡 Mauberger。 「耦合適用外延材料功能,并且清楚的設備和技術投資組合與作早期工作在的和商業化的突破設計的基體的 Soitec 的成功的歷史記錄允許我們駕駛主要技術提升在晶體管性能在下三到四籌碼生成。 此技術對尋求新的套晶體管和基體解決啟用各種各樣湧現的應用的主導的芯片製造商至關重要」。

這個共同計劃的焦點在的鍺外延層發展將調用使用 Soitec 的給予專利的聰明的剪切技術編譯 GeOI 薄酥餅。 聰明的剪切技術當前用於绝大多數的先進的設計的硅應用。 應用的材料的 Centura RP Epi 系統使用專門化的技術存款全方位鍺 epi 影片,從 100% 鍺到實際上所有鍺/硅組合,啟用各種各樣的硅和基於 Ge 的基體設計的優化。

根據 Randhir Thakur,副總統和總經理博士應用的材料的前最後產物組, 「鍺化合物預計提供許多高級材料的基礎在將來的籌碼的,開始在這個 45nm 節點。 與 Soitec、領導先鋒在 SOI (绝緣體上硅薄膜) 和其他設計的基體一起使用,我們可以利用我們的外延技術的唯一功能。 通過對齊我們的各自 45nm 技術模式,我們可以加速我們開發有效 300mm GeOI 製造過程的共有的目標啟用明天基於 GeOI 的籌碼的批量生產」。

基於鍺的材料顯示將來的高速邏輯應用的巨大承諾,因為他們允許電子快速地流經材料,由 3x 的可能地加速的晶體管切換對在硅的 4x。 由於批量硅的比例縮放限制 - 在和在 45nm 籌碼生成之外 - 許多芯片製造商評估設計的 GeOI 型的基體提高設備性能。

張貼 2004年th 3月 11日

Date Added: Mar 26, 2004 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 12. June 2013 15:33

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