Los sistemas de Haz Enfocados del Ión (FIB) de Hitachi entregan la preparación rápida y exacta de la muestra que es lejos superior a las técnicas convencionales. Disponible con Hitachi SEM o el escenario de TEM, la BOLA permite el uso de los casquillos compatibles para la preparación de espécimen y la observación subsiguiente de TEM o de SEM en la herramienta de la opción. Además, el Sistema patentado de Microsampling de Hitachi provee de utilizadores las capacidades "in-situ" incomparables del liftout que aumentan grandemente la producción.
El FB-2100 permite la preparación de espécimen rápida y exacta para la transmisión y la microscopia electrónica de la exploración de semiconductores y de otros materiales avanzados.
Características Dominantes:
- Alta precisión y altos tipos fresados
- El uso de un sistema óptico del nuevo ión inferior de la aberración permite una corriente máxima del haz de 30nA en un voltaje acelerante de 40 kilovoltios. Un ión de gran intensidad columncan se pida Opcionalmente con una corriente garantizada del haz de mayor de 60 nAmps
- Un TEM/STEM microsampling "in-situ" levanta el sistema está disponible opcionalmente
- La preparación específica del micro-muestreo del Sitio de muestras a granel se logra en un ambiente totalmente seco del vacío permitiendo la preparación de muestras libremente de problemas no nativos de las partículas, de la oxidación, el cargar y otro
- Daño del espécimen Que Disminuye
- Los casquillos Compatibles del espécimen para FB-2100 y Hitachi TEMs/SEMs se proporcionan para la preparación de espécimen la alta precisión y la confiabilidad. Esta ordenación permite el fresar y microscopia sin el speciment que coloca de nuevo al transferir la muestra entre su Hitachi TEM o SEM que disminuye el espécimen daña durante la preparación y la microscopia relanzadas.
- Una amplia gama de energías del haz
- Los Operadores pueden elegir el voltaje operatorio óptimo (o la energía) para fresar y la microscopia al mejor juicio el espécimen. Bajar el kilovoltio a 2kV disminuye la capa del daño de los amorphos.