Hitachi Focused Ion Beam (FIB) systèmes offrent la préparation d'échantillons rapide et précise qu'il est de loin supérieure aux techniques conventionnelles. Disponible avec un MEB Hitachi ou le stade du TEM, le FIB permet l'utilisation de porteurs compatible pour la préparation des échantillons à la fois et après l'observation TEM ou SEM dans l'outil de choix. De plus, le système breveté d'Hitachi Microprélèvement fournit aux utilisateurs des capacités inégalées liftout in situ, qui augmentent considérablement le débit.
Le FB-2100 permet la préparation d'échantillons rapide et précis à la fois pour la transmission et microscopie électronique à balayage des semi-conducteurs et autres matériaux avancés.
Principales caractéristiques:
- Haute précision et taux de fraisage à grande
- L'utilisation d'un nouveau système d'ions faible aberration optique permet un faisceau de courant maximum de 30nA à une tension d'accélération de 40 kV. En option, un fort courant d'ions columncan être commandés avec un faisceau garantie actuelle de plus de 60 Namps
- Une TEM Microprélèvement / STEM in-situ de sortir du système est disponible en option
- La préparation du site des micro-échantillonnage à partir d'échantillons en vrac est réalisé dans un environnement sous vide complètement sec permettant la préparation d'échantillons gratuits de particules étrangères, l'oxydation, de charge et autres problèmes
- Minimiser les dommages éprouvette
- Porte-échantillons Compatible pour FB-2100 et Hitachi TEMs / SEM sont fournis pour la préparation des échantillons avec une grande précision et de fiabilité. Cette disposition permet de broyage et de la microscopie, sans spécimen de repositionnement lors du transfert de l'échantillon entre votre Hitachi TEM ou dommages SEM éprouvette minimisant durant la préparation répétées et la microscopie.
- Une large gamme d'énergies de faisceau
- Les opérateurs peuvent choisir la tension de fonctionnement optimal (ou énergie) pour le fraisage et la microscopie pour mieux s'adapter à l'éprouvette. L'abaissement de la kV à 2kV minimise la couche dommages amorphos.