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Aviza-Technologie Celsior-fxP Einzelne Anlage Wafer-ALD

Celsior™fxP ist Avizas die fortgeschrittene einzelne Anlage des Wafers ALD Generation, die für 300 mm Produktion am 90 nm Knotenpunkt und unten anvisiert wird. Celsior-fxP bietet erweiterte revolutionäre Merkmale an, um sich komplexe Herstellungsanforderungen und die Flexibilitäts- und kurzenschleifenzeiten für R&D. zu treffen.

Plattform

Celsior-fxP ist zum Unterstützen von bis 5 Prozessblöcken für erhöhten Durchsatz und Produktivität fähig. Die Anlage wird konstruiert, um eine 200 mm/300-mm Brücke zu sein, welche die Flexibilität anbietet, 200mm und/oder 300mm Wafers auf der gleichen Plattform aufzubereiten.

Produktion-Erwiesene Leistung

Ein Hauptmerkmal von Celsior-fxP ist seine effizient konstruierte und innovative Kammer, die erhöhten Durchsatz mit dem Ergebnis preiswerteren des Besitzes anbietet (CoO). Andere eindeutige Merkmale umfassen:

  • Die Kleine Reaktionskammer, die Computer geformte Gasflussdynamik verwendet, um das Reaktionsvolumen zu verringern und äußeres zu löschen, die Bereiche Platz-verringernd, die für Defektentstehung mit dem Ergebnis höheren erhältlich sind, sterben Erträge
  • Patentierte Showerheadauslegung erlaubt Rapid, einheitliche Gaslieferung, die zum Erfüllen von Bedingungen weniger als mit 1 Prozentstärkeeinheitlichkeiten über einem 300 mm-Wafer fähig ist
  • Zuverlässig, Bereich nachgewiesene zentrale Übergangsnabe, die die robuste Regelung umfaßt, die in höheren Anlagenuptime und -verfügbarkeit Anlage-überträgt
  • Extendibility und Flexibilität durch das Lassen nahe nahtlosen Prozesskammerzusätzen für das Hinzufügen der zukünftigen Kapazität oder der neuen Material- und Verfahrenstechnik

Überlegene Prozessergebnisse, die 90 nm und unten anvisieren:

  • Hoch entwickelte D-RAM Kondensator-Dielektrika AlO23/HfSiOx
  • Hoch--K Tor-Dielektrika HfO/HfSiOx/HfTiOx2
  • Flash-Speicher Dielektrika AlO23/HfSiOx
  • Niedrige Temperatur SiO2
  • Niedrige Temperatur-Zinn
  • Ruthenium

Last Update: 11. January 2012 07:59

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