Sistema del Fulminante ALD del fxP de Celsior de la Tecnología de Aviza Único

Celsior™fxP es sistema avance del fulminante ALD de la generación de Aviza único apuntado para 300 milímetros de producción en el nodo de 90 nanómetro y abajo. El fxP de Celsior ofrece características revolucionarias desplegadas para resolver requisitos complejos de la fabricación y las duraciones del adaptabilidad y cortas de ciclo para el R&D.

Plataforma

El fxP de Celsior es capaz de utilizar hasta 5 módulos de proceso para la producción y la productividad aumentadas. El sistema se diseña para ser un puente de 200 mm/300-mm que ofrece la adaptabilidad de tramitar los fulminantes de 200m m y/o de 300m m en la misma plataforma.

funcionamiento Producción-Probado

Una característica dominante del fxP de Celsior es su compartimiento eficientemente diseñado e innovador, que ofrece la producción creciente dando por resultado más barato de la propiedad (CoO). Otras características únicas incluyen:

  • El Pequeño compartimiento de la reacción que utiliza dinámica modelada ordenador del flujo del gas para reducir el volumen de la reacción y para quitar extraño espacio-reduciendo las áreas disponibles para la formación del defecto dando por resultado más alto muere los rendimientos
  • El diseño Patentado del showerhead permite el rapid, la salida uniforme del gas que es capaz de cumplir requisitos de menos de 1 del por ciento uniformidad del espesor a través de un fulminante de 300 milímetros
  • Seguro, cubo central probado campo de la transferencia, que incluye el mando robusto sistema-que traduce a un uptime y a una disponibilidad más altos del sistema
  • Extendibility y Adaptabilidad permitiendo cerca de las adiciones de proceso inconsútiles del compartimiento para agregar la capacidad futura o la nueva tecnología del material y de proceso

Resultados de proceso Superiores que apuntan 90 nanómetro y abajo:

  • Dieléctricos Avanzados AlO/HfSiOx23 del Condensador de la COPITA
  • Altos-k Dieléctricos HfO/HfSiOx/HfTiOx de la Entrada2
  • Dieléctricos AlO/23HfSiOx de Memoria Flash
  • Baja Temperatura SiO2
  • Estaño de la Baja Temperatura
  • Rutenio

Last Update: 11. January 2012 08:07

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