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Système Unique du Disque ALD de fxP de Celsior de Technologie d'Aviza

Celsior™fxP est le système unique avancé du disque ALD du rétablissement d'Aviza visé 300 millimètres de production au noeud de 90 nanomètre et ci-dessous. Le fxP de Celsior offre les caractéristiques techniques révolutionnaires augmentées pour contacter des conditions complexes de fabrication et les temps de cycle de souplesse et courts pour la R&D.

Plate-forme

Le fxP de Celsior est capable de supporter jusqu'à 5 modules de processus pour le débit amélioré et la productivité. Le système est conçu pour être une passerelle de 200 mm/300-mm offrant la souplesse de traiter des disques de 200mm et/ou de 300mm sur la même plate-forme.

performance Production-Prouvée

Une fonctionnalité clé de fxP de Celsior est sa cavité efficacement conçue et novatrice, qui offre le débit accru ayant pour résultat plus peu coûteux de la propriété (CoO). D'Autres fonctionnalités uniques comprennent :

  • La Petite cavité de réaction employant la dynamique de flux de gaz modélisée par ordinateur pour réduire le volume de réaction et pour retirer étranger espace-réduisant les zones disponibles pour la formation de défaut ayant pour résultat plus élevé meurent des rendements
  • Le design Breveté de showerhead permet le rapid, l'accouchement uniforme de gaz qui est capable de répondre à des besoins de moins de 1 de pour cent uniformité d'épaisseur en travers d'un disque de 300 millimètres
  • Hub central Fiable et rodé en clientèle de transfert, qui comprend le contrôle robuste système-traduisant dans un temps de bon fonctionnement et une disponibilité plus élevés de système
  • Extendibility et Souplesse en laissant près des ajouts de processus sans joint de cavité pour ajouter la future capacité ou la technologie neuve de matériau et de la transformation

Résultats de processus Supérieurs visant 90 nanomètre et ci-dessous :

  • Diélectriques Avancés de Condensateur de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE AlO23/HfSiOx
  • Diélectriques HfO/HfSiOx/HfTiOx de Porte de Haut-k2
  • Diélectriques de Mémoire Flash AlO23/HfSiOx
  • Basse Température SiO2
  • Étain de Basse Température
  • Ruthénium

Last Update: 11. January 2012 06:16

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