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Sistema del Wafer ALD del fxP di Celsior di Tecnologia di Aviza Singolo

Celsior™fxP è sistema avanzato del wafer ALD della generazione di Aviza singolo mirato a per 300 millimetri di produzione al vertice di 90 nanometro e sotto. Il fxP di Celsior offre le funzionalità rivoluzionarie ampliate per incontrarsi i requisiti complessi di fabbricazione e le volte brevi e del flessibilità del ciclo per R & S.

Piattaforma

Il fxP di Celsior è capace di supporto dei fino a 5 moduli trattati per capacità di lavorazione e produttività migliorate. Il sistema è destinato per essere un ponte di 200 mm/300-mm che offre la flessibilità elaborare i wafer di 300mm e/o di 200mm sulla stessa piattaforma.

prestazione Produzione-Provata

Una caratteristica fondamentale del fxP di Celsior è la sua camera efficientemente progettata ed innovatrice, che offre la capacità di lavorazione aumentata con conseguente più a basso costo della proprietà (CoO). Altre funzionalità uniche includono:

  • La Piccola camera della reazione che utilizza la dinamica di flusso del gas modellistica computer per diminuire il volume della reazione e per rimuovere estraneo spazio-diminuendo le aree disponibili per formazione di difetto con conseguente più alto muore rendimenti
  • La progettazione Brevettata della doccia permette la rapida, la consegna costante del gas che è capace di soddisfare le richieste della meno di 1 di per cento uniformità di spessore attraverso un wafer da 300 millimetri
  • Affidabile, hub centrale di trasferimento provato campo, che comprende il controllo robusto chetraduce nell'più alti uptime e disponibilità del sistema
  • Extendibility e Flessibilità permettendo vicino alle aggiunte trattate senza cuciture della camera per l'aggiunta capacità futura o di nuova tecnologia della trasformazione e del materiale

Risultati trattati del Superiore che mirano a 90 nanometro e qui sotto:

  • Dielettrici Avanzati AlO/HfSiOx23 del Condensatore di DRAM
  • Dielettrici Alti--K HfO/HfSiOx/HfTiOx del Portone2
  • Dielettrici AlO/23HfSiOx di Memoria Flash
  • Bassa Temperatura SiO2
  • Stagno di Bassa Temperatura
  • Rutenio

Last Update: 11. January 2012 06:20

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