SCHICHT-Absetzungs-Anlage TFS 500 Atomvon Beneq

Das TFS 500 ist eine ALD-Anlage, die für Gebrauch in den Dünnfilmbeschichtungsanwendungen bestimmt ist. Das Gerät enthält Vorderkanteauslegung und technische Lösungen, die Beschichtungen und Ergebnisse der besseren Qualität aktivieren. In Beneq haben wir uns ALD-Hilfsmittelauslegung mit einem offenen Verstand und einem innovativen Spiritus genähert. Unser Ziel ist, Neuanmeldungen und Geschäftschancen zu entwickeln, indem es Erfahrung mit Erfindung kombiniert. Das TFS 500, unser Anfangsreaktorbaumuster, hat seinen Fall als vielseitiges Hilfsmittel geprüft, das zur ausführlichen Dünnfilmforschung und zur robusten Stapelverarbeitung anwendbar ist.

Das TFS 500 kann einige Baumuster Substratflächen handhaben; Wafers, planare Nachrichten, Pulver und poröse Massenmaterialien sowie komplexes 3D wendet mit hohen Längenverhältnismerkmalen ein. Es kann mit einer von Hand betriebenen Schleuse für erhöhte erreichbare Fertigungsgenauigkeiten des Wafers weiter ausgerüstet werden. Verschiedene Baumuster von Reaktionskammern können innerhalb der Unterdruckkammer leicht befestigt werden, die der Reihe nach die Optimierung jeder Reaktionskammer für jede Abnehmeranwendung aktiviert. Das TFS 500 ist ein ideales Hilfsmittel für Multiprojekt Umgebungen.

Das TFS 500 erfüllt die zwingenden Anforderungen der industriellen Zuverlässigkeit und den Bedarf an der Flexibilität von R&D-Operationen. Es wird auf einem robusten und einer Modularität aufgebaut und aller notwendigen Technik und Sicherheitsauflagen entspricht. Die Prozessbauteile sind ab Lagerartikel und so stellen Ersatzteilverfügbarkeit sicher. Alle Vorläuferbehältnisse können leicht geändert werden, kurzfristig. Die Vorläuferbereitschaft umfaßt Gase, Flüssigkeiten und Vollmaterialien. Für volle Flexibilität in der Vorläuferauswahl, haben wir zusätzlich eine 500 °C heiße Quelloption umfaßt. Konfiguration eines Abnehmers Quellkann sich von einem Minimum von zwei, zu Reihe von 5 Gasen, zu 4 Flüssigkeiten und zu 4 heißen Quellen deshalb unterscheiden.

Merkmale

Leistung, die zählt

  • Prozessschleifenzeit überwiegend kleiner als 2 Sekunden. In vielen Fällen weniger als 1 zweites (mit Einheitlichkeitsvariante < ±1% für z.B. AlO).2 3
  • Heiße Quellvielseitigkeit, bis 500 °C heiße Quellinstallationen als Standardoptionen.
  • Anwendungsspezifische Reaktionskammerauslegung mit überlegener Beschichtungsleistung.
  • Beides verweisen Sie und Fernplasma ALD als Standardoptionen.

Betriebsflexibilität - modular und flexibel

Ob Sie einen Dünnfilm an einen oder einigen Siliziumscheiben oder an einem Stapel von zwei tausend Silbermünzen auftragen möchten, ist das TFS 500 Ihre beste Wahl. Unser beglaubigtes ALD-Team kann Ihren spezifischen Bedarf in der Gerätenauslegung, in der Operation und in den Stützfunktionen anpassen.

  • Einige verschiedene Reaktionskammern erhältlich für z.B. Wafer, mehrfacher Wafer, 3D und Pulversubstratflächen.
  • Umfassende Modularbauweise lässt einfache Änderung von Reaktionskammern, -quellen und -rohrleitung zu.
  • Hohe Absetzung drückt mögliches für große Flächesubstratflächen.
  • Schleuse mit dem Handbetrieb erhältlich für schnelle Substratflächenwaferänderung.
  • Heiß-Wand Reaktionskammer für einheitliche Substratflächentemperatur und Vorläuferkondensation und Sekundärreaktionen verhindern.
  • Kalt-Wand Unterdruckkammer für schnelle Heizung und das Abkühlen.
  • Zusatzeintrag schließt in der Unterdruckkammer für Plasma, in-situdiagnosen Usw. an den Port an.
  • Reinraum kompatibel, einschließlich Reinraumwandeinheit.

Eindeutige Auslegung - Benutzerfreundlichkeit

Das TFS 500 enthält einen kleinen Abdruck und eine benutzerfreundliche Auslegung. Alle Beschichtung und prozesskontrollierten Operationen werden bequem über der Taille aufgestellt und machen das TFS 500 ein Vergnügen, mit zu arbeiten. Vorläuferquellladen und das Ändern ist- einfach, schnell und zuverlässig. Alle Funktionen werden durch programmierbare Logikregelung, (PLC) einschließlich die PC-Benutzerschnittstelle- und Datenerfassung gehandhabt.

Last Update: 11. January 2012 04:41

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